©Ulm University 2012, Othmar Marti
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32  Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)

 32.1  Lernziele
 32.2  Lerninhalte
 32.3  Aufgaben
 32.4  Literatur

32.1  Lernziele

In diesem Versuch geht es darum, mit elektrischen Meßmethoden die wichtigsten Eigen-schaften von Halbleiter/Metall- und Halbleiter-pn-Übergängen zu bestimmen, sowie Informationen über flache und tiefe Störstellen in den beteiligten Halbleiterschichten zu erhalten. Zunächst werden an diversen Dioden die Strom/Spannungs- (I(V)-) Kennlinien aufgenommen und mit theoretischen Kurven verglichen. Dann werden mit Kapazitäts/Spannungs- (C(V)-) Messungen die Dotierprofile der flachen Majoritätsstörstellen ermittelt. Mit temperaturabhängigen Kapazitätstransientenmessungen (= DLTS) werden schließlich die Konzentration und Bindungsenergie von absichtlich oder unabsichtlich vorhandenen tiefen Störstellen erfasst. Für diesen Zweck wird das DLTS-Meßverfahren auch standard-mäßig bei Halbleiterherstellern eingesetzt.

32.2  Lerninhalte

  1. Auskunft bei PD Dr. Klaus Thonke und in seiner Anleitung.

32.3  Aufgaben

  1. Auskunft bei PD Dr. Klaus Thonke und in seiner Anleitung.

32.4  Literatur

Lehrbücher zur Festkörperphysik z. B.

K. Thonke
Auskunft bei PD Dr. Klaus Thonke und in seiner Anleitung.



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