In diesem Versuch geht es darum, mit elektrischen Meßmethoden die wichtigsten Eigen-schaften von Halbleiter/Metall- und Halbleiter-pn-Übergängen zu bestimmen, sowie Informationen über flache und tiefe Störstellen in den beteiligten Halbleiterschichten zu erhalten. Zunächst werden an diversen Dioden die Strom/Spannungs- (I(V)-) Kennlinien aufgenommen und mit theoretischen Kurven verglichen. Dann werden mit Kapazitäts/Spannungs- (C(V)-) Messungen die Dotierprofile der flachen Majoritätsstörstellen ermittelt. Mit temperaturabhängigen Kapazitätstransientenmessungen (= DLTS) werden schließlich die Konzentration und Bindungsenergie von absichtlich oder unabsichtlich vorhandenen tiefen Störstellen erfasst. Für diesen Zweck wird das DLTS-Meßverfahren auch standard-mäßig bei Halbleiterherstellern eingesetzt.
Lehrbücher zur Festkörperphysik z. B.