©2002-2017 Ulm University, Othmar Marti, pict
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Index

Äquivalenz, 44
Äquivalenz-Gatter, 43
Überabtastung, 420
Übergang
    hetero, 132–135
    p-n, 123–127
        vorgespannt, 127–130
Überstruktur
    inkommensurabel, 527
    kommensurabel, 527
Übertragungsfunktionen, 19–20
1-Bit Wandler, 269
1/f-Rauschen, 93, 372

105, 219, 223
111, 219
741, 219, 222
1436, 223
4040, 258

Abtast-Halte-Glied, 262
Abtast-Halteglied, 66, 292
Abtasttheorem, 66
AD630, 282
ADC, 271–279
AFM
    Cantilever, 251
AFPSA, 402, 403
Akusto-optischer Modulator, 392
Akzeptanzwinkel, 342
Akzeptoren, 112–114, 116, 118, 123, 133, 136, 138, 144, 173, 310
Algebra
    Boole, 44–47
Allpass, 64–65
ALU, 101
amorphes SiO2, 140
Analog-Digital-Wandler, 271–277
Analog/Digital-Wandler, 271–279
Analogfilter, 58–65
Analogsignal, 65, 66
AND, 41
Anodenstrom, 93
Antivalenz, 45
Antivalenz-Gatter, 43
Arbeitspunkt, 51
Arithmetisch-logische Einheit, 101
Atom
    Si, 112
Atom-Probe Feldionenmikroskopie, 435
Atomlage, 132
Aufbau
    planar, 155
Auflösung, 267, 270, 271, 273, 283, 285, 374, 410, 412, 413, 433
    spektral, 407, 412
    zeitlich, 415, 417, 418
Ausgangskennlinie, 158
Ausgangssignal, 14
Ausgangswiderstandes, 360
Austrittsarbeit, 135, 138, 315, 433
Avalanche-Effekt, 319

Bänderschema, 123, 132, 134, 136–138, 142, 143, 145, 147
    elektronisch, 156, 167
    Heteroübergang, 133
    Heterostruktur, 132
Band, 132–134, 136–138, 142, 143, 145, 147, 156
Banddiskontinuitäten, 132
Bandpass, 63
Bandsperre, 64
Bandverbiegung, 132
Basis, 166
Basismessverfahren, 215–282
Basisschaltung, 167, 170, 196
Basisvektoren, 524
Baublock, 9
Bauelement
    Halbleiter, 118
    Si, 120
Bauelemente, 103–214
    Aufbau, 146–178
    bipolare, 152
    Dreitor–, 152
    Funktion, 146–178
    Grundschaltungen, 178–206
    ladungsgekoppelt, 146–151
    linear, 178–181
    optoelektronisch, 172–176
    passiv, 178–181
    Technologie, 146–178
    unipolare, 152
Baulelemente
    Halbleiter, 146–178
BCCD, 148
Bessel-Tiefpass, 62
Besselfilter, 62
Beugungsverluste, 379
Bias-Strom, 219
Bildaufnahmeeinheiten, 148
Bildsensor, 147
Bindung
    kovalente, 105
Bipolare Transistoren, 166–172
Bitstream-Verfahren, 271
Block
    Kaskadierung, 12
Blockschema, 9–14, 274
    Rechnen, 12–14
    Symbole, 9–11
Bode-Diagramm, 226
Bolometer, 314
Boolesche Algebra, 44
Boolsche Algebra, 44–47
Brückenschaltung, 250–258
Bragg-Gitter in Fasern, 347
Bragg-Spiegel
    sättigbar, 402, 403
Bravais-Gitter, 523
Bravais-Netz, 523
Brechungsindex, 327, 338, 340–342, 349, 350, 352, 354, 355, 388, 392, 400, 402
Brownsche Bewegung, 88
Buffer, 40
burried channel CCD, 148
Butterworth
    Polynom, 60
    Tiefpass, 59
Butterworth-Tiefpass, 59–60

Cantilever, 251
Cavity Dumping, 398
CCD, 146–151
CCD–Kamera, 147
CdS, 317
CdSe, 317
Chopper-Rad, 406
CMOS, 159–166
Computerarchitektur, 96
Coulomb–Barriere, 178
CPM-Laser, 399
CPM-Lasersystem, 399
Cs, 315
Curie-Temperatur, 311

Dämpfung, 339
DAC, 258–271
Darlington–Schaltung, 197
Darlington–Transistor, 198
Darlington-Transistor, 197, 198
Darstellung
    Blockschema, 9–14
    elektronische Messsysteme, 9–14
dB, 339
    deziBel, 339
Debye-Temperatur, 305
Deglitcher-Schaltung, 262
Dehnungsmessstreifen, 251
DeMorgansche Gesetze, 45
Demultiplexer, 262
Detektor
    phasenempfindlich, 425
deziBel, 339
    dB, 339
Diagramm
    Karnaugh, 48–49
    Signalfluss, 14–18
        Allgemeine Formel, 18
        Begriffe, 16–17
        Grundlagen, 14–16
Dichte
    Ladungsträger, 112, 114, 119, 123, 137, 152, 158, 297
        injiziert, 121
        Leitungsband, 112
Differenzverstärker, 204
Diffusionskoeffizient, 435
Diffusionskonstante, 120
Diffusionslängen, 120
Digital Signal Processor, 101
Digital-Analog-Wandler, 258, 262, 273, 274
digital-analog-Wandler, 66
Digital/Analog-Wandler, 258–271
Digitale Signale, 23, 39–49
Digitale Signalprozessoren, 95–102
Digitalfilter, 65–84
    Abtastung, 65–67
    Bausteine, 67–71
    FIR, 74–79
    Grundstrukturen, 71–74
    IIR, 80–84
Digitalsignal, 65
Diode, 128
    1N4148, 226
    1N914, 226
    Anwendungen, 182
    dynamisches Verhalten, 182
    Esaki–Tunnel, 184
    Foto
        pin, 173
        pn, 173
    Kapazität, 184
    MIS, 140–146
        ideal, 142
    MOS, 140–146
    npn, 202
    p–n
        Herstellung, 125
    PIN, 184
    Schalt, 184
    Schottky, 135–140, 184
    Si, 133, 181
    Zener, 184
Dioden, 127–130
Diodenmodelle, 182
Disjunktion, 42
Dispersion, 399
Dispersionskompensation, 399, 401, 402
Distributivgesetz, 45
    disjunktiv, 45
    konjunktiv, 45
Donatoren, 112–114, 116, 118, 123, 133, 136, 138, 156, 173
Dotierkonzentration, 117–119
Dotierung, 112–114, 125
Drain, 152
Drainschaltung, 201
Dreiecksschaltung, 57
DSP, 95–102
    Digital Signal Processor, 101
Dual-Slope-Prinzip, 276

Ebene Welle, 320
ebene Welle, 380
effektive Masse, 109
Eingangsimpedanz, 55
Eingangssignal, 14
Eingangsstrom, 360
Eingangsverstärker, 9
Eingangswiderstand, 217, 325, 326, 358, 362
Einkristall
    Si, 112
Einmoden-Gklasfaser, 348
Einschaltvorgang, 35–39
Einsteinbeziehung, 309
elektrische Kontakte, 122–146
    Grundlagen, 122–123
    p-n-Übergang, 123–127
Elektromotorische Kraft, 317
Elektronengas
    2-dimensional, 157
Elektronenstrahllithographie, 157
Elektronik-Design-Labor, 215
Elementarladung, 93
EMF, 87, 88
    fluktuierend, 87, 88
Emitter, 166
Emittereffizienz, 168
Emitterfolger, 194
Emitterschaltung, 170, 189
    Spannungsgegenkopplung, 193
    Stromgegenkopplung, 191
Energie
    Fermi, 104, 116, 123, 142, 157, 306, 315, 317, 433
Energielücke, 104, 106, 109, 117, 132, 172
    Si, 147
Ensemblemittel, 529
Entropie, 89
Esaki–Tunnel–Diode, 184
Ewald-Konstruktion, 442
Exklusiv-NOR, 44

F, 338
Fabri-Perot-Interferometers, 412
Fabri-Perot-Spektrometer, 412
Fabry-Perot-Resonator, 356, 374
Faltung, 32
Faltungssatz, 32
Faradaybecher, 435
Fasern
    Bragg-Gitter, 347
Fehlersignal, 14
Felddesorption, 434
Feldeffekt-Transistor, 152
Feldeffekt-Transistoren, 152–158
Feldionenmikroskop, 433
Feldionenmikroskopbild, 434
feldionenmikroskopische Abbildung, 434
Feldplatte, 298
Fermi-Energie, 104, 116, 123, 142, 157, 306, 315, 317, 433
Fermi-Niveau, 123
Festkörperelektronik, 103
FET, 152
    Double–Gate JFET, 155
    Grundschaltung, 200
    Sperrschicht–, 153
Filter, 58–84
    analog, 58–65
    Bessel, 62
    digital, 65–84
        Abtastung, 65–67
        Bausteine, 67–71
        FIR, 74–79
        Grundstrukturen, 71–74
        IIR, 80–84
    Finite Impulse Response, 74
    FIR, 74
    IIR, 74
    Infinite Impulse Response, 74
    Lineare Phase, 75
Finesse, 387, 413
Finite Impulse Response Filter, 74
FIR Filter, 101
FIR-Filter, 74–79
Flächengruppe, 524
Flash-Converter, 271
Flickerrauschen, 93
Flip–Flop, 159
Fluktuationen, 88
Fluktuations-Dissipations-Theorem, 88
FM-Übertragung, 86
Fotodiode
    pin, 173
    pn, 173
Fotodioden, 173
    Avalanche, 174
Fotoeffekt
    innerer, 172
Fotoelement, 174
Fotoleitfähigkeit, 172
Fotoleitung, 173
    Störstelle, 173
Fototransistoren, 174
Fourieranalysatoren, 421
Fourieroptik, 380
Fouriertransformation, 23–30, 32, 38, 67, 87, 397, 421, 446, 447
Frame–Transfer–Konzept, 151
Frequenz, 283, 287–293
Frequenzgang–Kontrolle
    universell, 212
Frequenzgang–Korrektur, 212
Frequenzmessung, 283
    PLL, 290
    Quartz, 287–293
Fresnel-Zahl, 383
Fresnelzahl, 379
Fuzzy-Logik, 23

Güteschaltung, 391
GaAa
    MESFET, 155
GaAs, 104, 107, 112, 117, 119, 120, 132, 146, 153, 155, 173–175, 299
    i, 157
    MESFET, 155–157
    Substrat
        intrinsisch, 156
    VCSEL, 177
Gate, 152
Gate–Steuerspannung, 153
Gateoxid, 103
Gateschaltung, 202
Gatter
    Äquivalenz, 43
    Antivalenz, 43
    NAND, 42
    Nicht, 41
    NOR, 42
    oder, 41
    Und, 41
    XNOR, 44
    XOR, 45
Ge, 319, 338
Generations-Rekombinationsrauschen, 93
Generationsraten, 121
Gitterspektrometer, 410
Glasfaser
    einmodig, 348
    Numerische Apertur, 342
Gleichgewicht
    thermodynamisch, 123
Gleichrichtung, 127–130, 182
Graded base band gap technique GBT, 172
Graetz-Schaltung, 234
Gray-Code, 48
Grenzflächenzustand, 138
GRIN-Linsen, 343
Grundlagen
    mathematisch, 9–102
Grundschaltung
    Bipolartransistor, 189
    FET, 200
    Transistor, 188
Grundschaltungen
    Bauelemente, 178–206
Gruppenlaufzeit, 61–65, 75, 400, 426, 466–470, 472–476, 478–482, 484–488, 490, 492
Gruuppe
    Fläche, 524

H-Matrix, 51
Halbleiter, 103, 104, 106, 108, 111, 112, 114, 116–120, 132, 135, 136, 138, 142, 143, 153, 173, 176
    amorph, 103
    Bauelement, 118–122
    direkt, 107, 119, 146
    dotiert, 112–114
        schwach, 120
        stark, 120
    Einkristall, 103, 122
    Grundlagen, 103–122
    Heteroübergang, 133
    homogen, 114
    ideal, 108
    II-VI, 107
    III-V, 107, 156, 157
    indirekt, 107, 119
    intrinsisch, 108–112, 120, 172
    Ladungsträgerdichte, 114–117
    Material, 111, 153, 172, 176
        intrinsisch, 172
    Messtechnik, 137
    n-dotiert, 112, 121, 136, 137, 143, 172
    p-dotiert, 112, 137, 142
    quaternär, 104
    Schichten
        Epitaxie, 122
    Technologie, 159
    undotiert, 137
    Volumen, 121, 139
Halbleiter–Laser, 175
Halbleiter-Bauelemente, 146–178
Halbleiter-Fotodetektoren, 173–174
Halbleiter-Metall, 122
Halbleiter-Speicher, 159–166
Halbleiter-Strahlungsquellen, 174–176
Hall-Effekt, 296
Heaviside-Funktion, 37
Hermitsche Polynome, 381
Hetero-Übergang, 132–135
Heteroübergang
    isotyp, 133
    modulationsdotiert, 134
High-Bit-Verfahren, 270
Hochpass, 62–63
Hopping-Prozess, 309

II–VI–Halbleiter, 107
III–V–Halbleiter, 107
IIR Filter, 101
IIR-Filter, 74, 80–84
Impedanz, 19, 20, 50
    Quelle, 55
Impedanzanpassung, 326
Impedanztransformation, 327
INA105, 219, 223
InAs, 299
Induktivität, 89, 247–249
Induktivitätsbelag, 331
Infinite Impulse Response Filter, 74
Infrarot, 317
Injektion von Elektronen, 137
Injektion von Löchern, 137
inkommensurable Überstruktur, 527
innerer Fotoeffekt, 172
InSb, 299, 317, 319
Integrator, 71
Interferometer
    Lloyd, 350
    Prisma, 350
Interferometrie, 349
Interline–Konzept, 148
Inversionsschicht, 137
Inverter, 41
Ir, 306
Isolationswiderstand, 361
Isolatoren, 103, 104

Jitter, 421
Josephson-Effekt, 302

K, 315
Kanalbreite, 153
Kapazität, 247–249
Kapazitätsbelag, 331
Kapazitätsdiode, 184, 421
Karnaugh-Diagramm, 48
Karnaugh-Diagramme, 48–49
Kaskadierung
    Blöcke, 12
    Kommutativgesetz, 12
Kaskodenschaltung, 204
Khintchine, 26
Kirchhoff-Fresnel, 380
Knoten, 381
Koaxialleitung, 320
Kohärenz, 443
Kollektor, 166
Kollektorschaltung, 194
kommensurable Überstruktur, 527
Kommutativgesetz, 45
    Kaskadierung, 12
Kompositionsgitter, 134
Kondensator, 19, 89
konfokaler Resonator, 381
Konjunktion, 41
Konstruktion
    Ewald, 442
Kontakt
    elektrisch, 122–146
        Grundlagen, 122–123
        p-n-Übergang, 123–127
    injizierend, 137
    Metall und n-Halbleiter, 136
    Metall und p-Halbleiter, 136
    Metall-Halbleiter, 135–140
    Metall-Isolator-Halbleiter, 140–146
    ohmsch, 103, 135–140
        real, 139
    real, 139
Kontakte
    ohmsche, 139
Kontaktpotential, 136
Kontinuitätsgleichung, 121
Kopplungsdämpfung, 344
Kopplungswirkungsgrad, 344
Korrelationsfunktion, 88
Korrelationszeit, 88
Kotankt
    Metall–Metall, 135
Kristall
    Si, 123
Kristallstrukturen, 104
kritischer Tiefpass, 58–59
Kurzpulslaser, 391

Ladung, 237–239
Ladungsgekoppelte Baulelemente, 146–151
Ladungsmessung, 237–239
Ladungsneutralität, 120
Ladungsträger
    Dichte, 114–117
    Transport, 119–122
Ladungsträgerdichte, 114, 119, 123, 137, 152, 158, 297
    injiziert, 121
    Leitungsband, 112
    Valenzband, 112
Laplace-Transformation, 28–30
    diskret, 33
    Vergleich z-Transformation, 33
Laser
    Halbleiter, 175
Laserdiode, 344
Laserresonator, 381
Last
    kapazitiv, 214
Lawineneffekt, 319
Lecherleitung, 321, 325
LED, 344
    weiss, 175
LEED, 440
Leistungsanpassung, 55
Leistungsspektrum, 88
Leistungsspektrums, 89
Leiterbahn
    Si, 161
Leitfähigkeit, 117–119
Leitung
    koaxial, 320
    Streifen, 320
    Zweidraht, 320
Leitwert, 20
Leitwerts, 152
Lineare Phase, 75
Lithographie
    optisch, 160
Lloyd-Interferometer, 350
LM741, 219, 222, 230
Lock-In, 245
Lock-In Verstärker, 9, 279–282
Logische Verknüpfungen, 40–44
Low Energy Electron Diffraction, 440

MAC, 101
    Multiplikator-Akkumulator, 101
Majoritätsladungsträger, 114
Maschinenbefehl, 97
MASH, 271
Masse
    effektive, 109
Material
    Halbleiter, 111, 153, 172, 176
        intrinsisch, 172
Mathematische Grundlagen, 9–102
MC1436, 223
Mechanische Vibrationen, 373
mechanische Vibrationen, 373
MESFET, 152
    GaAs, 155–157
Messgerät, 9, 178, 220, 221, 285, 358, 360–364, 419
    analog, 221
Messtechnik
    Halbleiter, 137
Messung
    AC-Grössen, 223–236
    Frequenz, 283
        PLL, 290
        Quartz, 287–293
    Ladung, 237–239
    Spannung, 220–223
    Strom, 215–220
    Widerstand, 239–247
Messverfahren, 215
Messvorschrift, 50
Messwiderstand, 215–218, 358, 364, 365
Metall-Halbleiter, 122
    Kontakt, 136
Metall-Halbleiter-Kontakt, 122, 135–140
Metall-Isolator-Halbleiterkontakt, 140–146
Millersche Indizes, 523
Minoritätsladungsträger, 114
MIS, 140
MIS-Diode, 140–146
MISFET, 152
Mo, 306
Modenverteilung, 382
Modulation, 85–87
Modulationsdotierung, 134
MOS, 140
MOS-Diode, 140–146
MOSFET
    n–Kanal, 158
    p–Kanal, 158
Multi-Stage Noise Shaping, 271
Multimoden-Wellenleiter, 338
Multiquantum Well, 176

n–Schicht
    inonenimplantiert, 148
n–Wannen Silizium–Gate CMOS–Prozesses, 161
n-dotiert, 142
n-Halbleiter, 112, 121, 136, 137, 143, 172
Na, 315
NAND, 43
NAND-Gatter, 42
Negation, 41
Netzfrequenz, 372
Netzwerkanalysator, 55, 423
    skalar, 425
    vektoriell, 425
Neutralisationsbedingung, 109
Ni, 306
Nicht-Gatter, 41
NOR, 43
    Exklusiv, 44
NOR-Gatter, 42
Norton, 179–181
NOT, 41
Numerische Apertur, 342, 410
    Gradientenindexfaser, 344
Nyquist, 91
    Abtasttheorem, 420
    Rauschen, 87
    Theorem, 88
Nyquist-Frequenz, 66
Nyquist-Theorem, 88, 90

Oberflächenrekombinations–Geschwindigkeit, 122
Oberflächenstörstellen, 122
Oberfrequenz, 372
Oder, 42
Oder-Gatter, 41
OP27, 225
OPA111, 219
Operationsverstärker, 219, 223, 226, 227
    Bias-Strom, 219
    INA105, 219, 223
    LM741, 219, 222, 230
    MC1436, 223
    OP27, 225
    OPA111, 219
    Standard, 206
optische Faser, 338
Optische Messverfahren, 374
optischer Datenübertragung, 373
Optoelektronik
    Bauelemente, 172–176
OPV
    Standard, 206
OR, 42
OTA, 214
Oversampling, 66, 270, 420
Oversamplings, 421
Oxidation
    nass, 142
    thermisch, 140
    trocken, 140

p-Halbleiter, 112, 137, 142
p-n-Übergang, 123–127
    vorgespannt, 127–130
PAL, 46
parabolische Näherung, 108
Parallelschaltung
    Vierpol, 53
Parallelschwingkreis, 19, 21, 325, 326
Parallelwiderstand, 360
PbS, 317
PbSe, 317
PbTe, 317
Phase
    Messung, 425
Phase Locked Loop, 290
Phasenmaske, 350
Phasenmessung, 425
Phasenreserve, 212
Phasenschieber, 64
Photo Multiplier, 316
Photodiode, 223, 370
Phototransistor, 319
piezoresistiv, 251
PIN–Diode, 184
PLL, 290
PMOS Aluminium–Gate–Prozess, 159
Pockelszelle, 392
Poggendorff’sche Kompensationsmethode, 222
Poggendorff-Kompensator, 218
Poisson–Gleichung, 123
Poisson-Zahl, 354
Pol
    reell, 59
Polar-Plot, 513, 515, 516
Polardarstellung, 428, 429
Polychromator, 407
Polynom
    Butterworth, 60
    Tschebyscheff, 60
Potentiallinie, 330, 431
Potentialtheorie, 330
Poynting-Vektor, 393
Prismen-Interferometer, 350
PROM, 165
Pt, 306
pyroelektrischer Effekt, 314

Quartz, 287–293

R-2R-Netzwerk, 265
Rückkoppelsignal, 14
RAM
    dynamisch, 164
    statisch, 162
Raumladung, 123, 124, 129, 138, 144
    MIS-Diode, 144
    negativ, 133
    positiv, 133, 136
Raumladungen, 123
Raumladungszone, 123–125, 127–130, 132, 133, 135, 137, 143, 144, 155, 170, 173, 317, 318
    Anreicherung, 133
    BC, 171
    pn-Übergang, 317
Rauschbandbreite, 94
Rauschen, 87–95
    1/f, 93, 372
    Flickerrauschen, 93
    Generationsrauschen, 93
    Nyquist, 87
    rekombinationsrauschen, 93
    Schroteffekt, 93
    thermisch, 358, 360, 361
    weiss, 88, 93, 358, 361, 372
    Widerstand, 87
Rauschspektrum, 91, 93
Rauschstrom, 93
Rechenwerk, 97
Rechnen
    Blockschema, 12–14
Referenzoszillator, 9
Reflection high energy electron diffraction, 449
Reflexionsfaktor, 427
Reflexionsspektrum
    Bragg-Gitter, 352
Rekombinationsprozesse, 119–122
Rekombinationsraten, 121
Relation
    Wiener-Khintchine, 26
Relaxationsschwingung, 391
Resonator, 374–376, 378–380, 394, 398
    Fabry-Perot, 356, 374
    konfokal, 381, 385
RHEED, 134, 449

S-Parameter, 429
Sägezahnverfahren, 275
Sample&Hold, 262
Sb, 315
Scanning Tunneling Microscope, 223
SCCD, 148
Schaltalgebra, 44
    Distributivgesetz, 45
    Kommutativgesetz, 45
    Postulate, 44
    Theoreme, 45
Schaltdiode, 184
Schalter, 170
Schaltungstechnik, 103–214
Schieberegister
    analog
        dynamisch, 146
Schottky–Barriere, 138
Schottky–Diode, 184
Schottky–Modell, 125
Schottky-Diode, 135–140
Schroteffekt, 93
Schwarzkörperstrahlung, 91
Seebeck-Koeffizient, 313, 522, 529
Selbst-Phasenmodulation, 400
Sensoren, 215
Serienschaltung, 19
SET, 178
Shockley, 311
Shunt, 360
Si, 103–107, 111, 112, 116, 117, 119–121, 125, 126, 132, 140, 144, 146, 147, 153, 157, 173, 174, 182, 299, 319, 522
    Atom, 112
    Bauelement, 120
    Diode, 133, 181
    dotiert, 146
    Einkristall, 112
    Kristall, 123
    Leiterbahn, 161
    n-dotiert, 139
    Oberfläche, 140
    p-dotiert, 139, 158
    Schicht, 160
    Substrat, 104, 146, 147
        n-dotiert, 158
    Wafer, 159, 172
        p-dotiert, 158
Signal, 18, 28, 64–67, 85–87, 94, 164, 194, 209, 222, 224, 226, 233, 236–239, 251, 262, 268–270, 274, 282, 285, 293, 373, 414, 421, 423, 427–429, 529
    übertragen, 423
    analog, 65, 66
    digital, 65
    oversampled, 270
    reflektiert, 423
Signale, 22–23
    Ausschaltvorgang, 22–23
    digital, 23, 39–49
    diskret, 23
    Einschaltvorgang, 22–23
    kontinuierlich, 22–49
    periodisch, 22
    wertdiskret, 22–49
    zeitdiskret, 22–49
Signalfluss, 9, 14–18
    Allgemeine Formel, 18
    Begriffe, 16–17
    Grundlagen, 14–16
    Richtung, 11
Signalflussdiagramm, 14–18
    Übertragung, 16
    Allgemeine Formel, 18
    Begriffe, 16–17
    Definitionen, 17
    Grundlagen, 14–16
    Multiplikation, 16
    Summation, 16
Signalgenerator, 425
Silizium, 104–107, 111, 112, 116, 117, 119–121, 125, 126, 132, 140, 144, 146, 147, 153, 157, 173, 174, 182, 299, 319, 522
    Atom, 112
    Bauelement, 120
    Diode, 133, 181
    dotiert, 146
    Einkristall, 112
    einkristallin, 103
    Kristall, 123
    Leiterbahn, 161
    n-dotiert, 139
    Obergläche, 140
    p-dotiert, 139, 158
    Schicht, 160
    Substrat, 104, 146, 147
        n-dotiert, 158
        p-dotiert, 155
    Wafer, 159, 172
        p-dotiert, 158
Single electron transistor, 178
Single Quantum Well, 176
Single-mode Glasfaser, 348
Sintern, 308
SiSubstrat
    p-dotiert, 155
Skintiefe, 336
Slew–Rate, 214
Smith-Chart, 425, 428, 503, 509, 511, 514, 516
Smith-Diagramm, 428, 429
Solarzelle, 174
Solarzellen, 174
Source, 152
Sourceschaltung, 200
    Spannungsgegenkopplung, 201
    Stromgegenkopplung, 201
Spannung, 220–223
Spannungsbegrenzung, 184
Spannungsgegenkopplung, 193
Spannungsmessung, 220–223, 358, 360
Spannungsquelle, 22, 179, 180, 189, 206, 207, 220–223, 226, 240–243, 245, 265, 357, 359, 363, 364, 372
Spannungsstabilisierung, 184
Speicher
    Halbleiter, 159–166
Spektralanalysator, 421
Spektrometer, 407
Spikes, 390
Spule, 19
SQUID, 303
SRAM, 162
Standard–OPV, 206
Sternschaltung, 56
Steuerung
    bipolarer Transistor, 169
Stichleitung, 325
STM, 223, 370
Strahlung
    ionisierend, 362
    kosmisch, 362
Strahlungsquellen
    Fotodetektoren, 173–174
    Halbleiter, 174–176
Streakkamera, 418
Streifenleiter, 337
Streifenleitung, 320
Strom, 215–220
Strom–Spannungs–Wandler, 193
Strom–Verstärker, 207
Stromgegenkopplung, 191
Strommessung, 215–220, 358
Stromquelle, 202
Stromspiegel, 202
Successive Approximation, 274
Summationspunkt, 14
surface channel CCD, 148
Symbole
    Blockschema, 9–11
System
    linear, 37

Talbot-Effekt, 351
Technologie
    Halbleiter, 159
TEM-Moden, 381
TEM-Welle, 320, 456
Temperatur
    leitfähigkeit, 117–119
Temperaturdrift, 373
Temperaturschwankung, 373
Theorie
    Modulation, 85–87
thermische Oxidation, 140
Thermospannung, 360, 361
Thévenin, 179–181
Thyristoren, 374
Tiefpass, 59
    Bessel, 62
    Butterworth, 59–60
    kritisch, 58–59
    Tschebyscheff, 60–61
Tiefpass-Allpass-Transformation, 64–65
Tiefpass-Bandsperren-Transformation, 64
Tiefpass-Bandpass-Transformation, 63
Tiefpass-Bandsperre-Transformation, 64
Tiefpass-Hochpass-Transformation, 62–63
Tiefpassfilter, 234
Totzeitglied, 67
Transferweite, 443
Transformation
    Fourier, 23–28
    Laplace, 28–30
    Tiefpass-Bandpass, 63
    Tiefpass-Bandsperren, 64
    Tiefpass-Hochpass, 62
Transformationen, 13–14
Transimpedanz–Verstärker, 207
Transistor, 51, 140, 152, 153, 157, 158, 167, 171, 186, 187, 193, 194, 198, 204, 205, 319, 429
    bipolar, 174, 363
        Grundschaltung, 189
        Modell, 188
        Si/SiGe, 172
    Darlington
        npn, 197
    Feldeffekt, 152
    Feldeffekt–, 152
    Grundschaltung, 188
    MOS, 177
    npn, 166, 167, 202
        bipolar,vertikal, 171
    PMOS, 159
    pnp, 166
        lateral, 171
    Vierpolparameter, 51
Transistoren
    bipolar, 166–172
    Feldeffekt, 152–158
    unipolar, 152–158
Transkonduktanz–Verstärker, 206
Transkonduktanzverstärker, 214
Transport
    Ladungsträger, 119–122
True-RMS-Gleichrichter, 233
Tschebyscheff-Polynom, 79
Tschebyscheff-Tiefpass, 60–61

Und, 41
Und-Gatter, 41
Unipolartransistoren, 152–158
Universalverstärker, 209
Unschärferelation, 88

VC–OP, 206
Verknüpfungen
    logisch, 40–44
Verstärker
    Lock-In, 279–282, 361
Verzögerungsglied, 67
Vierpol, 50–56
    π-Glied, 57
    Übertragungsfunktion, 54
    Dtreiecksschaltung, 57
    Kettenschaltung, 53
    Kreuzglied, 57
    Parallelschaltung, 53
    Serienschaltung, 51
    Sternschaltung, 56
    T-Glied, 56
    Theorie, 50–56
Vierpoldarstellung, 323
Vierpolparameter, 51
Voltmeter
    digital, 363
Volumenstromdichte, 120
von Neumann-Architektur, 96
VV–OP, 206

Wägeverfahren, 274
Wafer
    Si, 172
Wandler
    Analog/Digital, 271–279
    Digital/Analog, 258–271
Wandlerschaltungen, 258–279
Wechselspannung, 223–236
Wechselstrom, 223–236
weisses Rauschen, 88, 372
Widerstand, 19, 87, 88, 90–92, 215, 220–222, 226, 227, 233, 239–248, 258, 262, 454
    gesteuert, 152
    steuerbar, 199
Widerstandsmessung, 239–247, 361
Widerstandsrauschen, 87, 93
Wiener, 26
Wiener-Khintchine-Relation, 26

XNOR-Gatter, 44
XOR-Gatter, 45

Y-Matrix, 51

z-Transformation, 30–35
    Rücktransformation, 33–35
    Rechenregeln, 31–33
    Vergleich Laplace-Transformation, 33
Zahlensystem, 39
Zahlensysteme, 40
Zeigerdiagramm, 19
Zeitmittel, 529
Zenerdiode, 184
Zustand
    Grenzfläche, 138
Zweidrahtleitung, 320



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