105, 217, 221
111, 217
741, 217, 220
1436, 221
4040, 256
Abtast-Halte-Glied, 260
Abtast-Halteglied, 64, 290
Abtasttheorem, 64
AD630, 280
ADC, 269–277
AFM
Cantilever, 249
AFPSA, 404
Akusto-optischer Modulator, 393
Akzeptanzwinkel, 342
Akzeptoren, 110–112, 114, 116, 121, 131, 134, 136, 144, 171, 308
Algebra
Boole, 42–45
Allpass, 62–63
ALU, 99
amorphes SiO2, 138
Analog-Digital-Wandler, 269–275
Analog/Digital-Wandler, 269–277
Analogfilter, 56–63
Analogsignal, 63, 64
AND, 39
Anodenstrom, 91
Antivalenz, 43
Antivalenz-Gatter, 41
Arbeitspunkt, 49
Arithmetisch-logische Einheit, 99
Atom
Si, 110
Atom-Probe Feldionenmikroskopie, 438
Atomlage, 130
Aufbau
planar, 153
Auflösung, 266, 268, 269, 271, 281, 283, 375, 412, 414, 415, 436
spektral, 409, 414
zeitlich, 417–419
Ausgangskennlinie, 156
Ausgangssignal, 12
Ausgangswiderstandes, 361
Austrittsarbeit, 133, 136, 313, 436
Avalanche-Effekt, 317
Bänderschema, 121, 130, 132, 134–136, 140, 141, 143, 145
elektronisch, 154, 165
Heteroübergang, 131
Heterostruktur, 130
Band, 130–132, 134–136, 140, 141, 143, 145, 154
Banddiskontinuitäten, 130
Bandpass, 61
Bandsperre, 62
Bandverbiegung, 130
Basis, 164
Basismessverfahren, 213–280
Basisschaltung, 165, 168, 194
Basisvektoren, 526
Baublock, 7
Bauelement
Halbleiter, 116
Si, 118
Bauelemente, 101–212
Aufbau, 144–176
bipolare, 150
Dreitor–, 150
Funktion, 144–176
Grundschaltungen, 176–204
ladungsgekoppelt, 144–149
linear, 176–179
optoelektronisch, 170–174
passiv, 176–179
Technologie, 144–176
unipolare, 150
Baulelemente
Halbleiter, 144–176
BCCD, 146
Bessel-Tiefpass, 60
Besselfilter, 60
Beugungsverluste, 380
Bias-Strom, 217
Bildaufnahmeeinheiten, 146
Bildsensor, 145
Bindung
kovalente, 103
Bipolare Transistoren, 164–170
Bitstream-Verfahren, 269
Block
Kaskadierung, 10
Blockschema, 7–12, 272
Rechnen, 10–12
Symbole, 7–9
Bode-Diagramm, 224
Bolometer, 312
Boolesche Algebra, 42
Boolsche Algebra, 42–45
Brückenschaltung, 248–256
Bragg-Gitter in Fasern, 348
Bragg-Spiegel
sättigbar, 403–405
Bravais-Gitter, 525
Bravais-Netz, 525
Brechungsindex, 326, 338, 340, 342, 343, 349, 350, 353–355, 388, 393, 402, 404
Brownsche Bewegung, 86
Buffer, 38
burried channel CCD, 146
Butterworth
Polynom, 58
Tiefpass, 57
Butterworth-Tiefpass, 57–58
Cantilever, 249
Cavity Dumping, 400
CCD, 144–149
CCD–Kamera, 145
CdS, 315
CdSe, 315
Chopper-Rad, 408
CMOS, 157–164
Computerarchitektur, 94
Coulomb–Barriere, 176
CPM-Laser, 401
CPM-Lasersystem, 400
Cs, 313
Curie-Temperatur, 309
Dämpfung, 338
DAC, 256–269
Darlington–Schaltung, 195
Darlington–Transistor, 196
Darlington-Transistor, 195, 196
Darstellung
Blockschema, 7–12
elektronische Messsysteme, 7–12
dB, 338
deziBel, 338
Debye-Temperatur, 303
Deglitcher-Schaltung, 260
Dehnungsmessstreifen, 249
DeMorgansche Gesetze, 43
Demultiplexer, 260
Detektor
phasenempfindlich, 427
deziBel, 338
dB, 338
Diagramm
Karnaugh, 46–47
Signalfluss, 12–16
Allgemeine Formel, 16
Begriffe, 14–15
Grundlagen, 12–14
Dichte
Ladungsträger, 110, 112, 117, 121, 135, 150, 156, 295
injiziert, 119
Leitungsband, 110
Differenzverstärker, 202
Diffusionskoeffizient, 438
Diffusionskonstante, 118
Diffusionslängen, 118
Digital Signal Processor, 99
Digital-Analog-Wandler, 256, 260, 271, 272
digital-analog-Wandler, 64
Digital/Analog-Wandler, 256–269
Digitale Signale, 21, 37–47
Digitale Signalprozessoren, 93–100
Digitalfilter, 63–82
Abtastung, 63–65
Bausteine, 65–69
FIR, 72–77
Grundstrukturen, 69–72
IIR, 78–82
Digitalsignal, 63
Diode, 126
1N4148, 224
1N914, 224
Anwendungen, 180
dynamisches Verhalten, 180
Esaki–Tunnel, 182
Foto
pin, 171
pn, 171
Kapazität, 182
MIS, 138–144
ideal, 140
MOS, 138–144
npn, 200
p–n
Herstellung, 123
PIN, 182
Schalt, 182
Schottky, 133–138, 182
Si, 131, 179
Zener, 182
Dioden, 125–128
Diodenmodelle, 180
Disjunktion, 40
Dispersion, 400
Dispersionskompensation, 400, 403, 404
Distributivgesetz, 43
disjunktiv, 43
konjunktiv, 43
Donatoren, 110–112, 114, 116, 121, 131, 134, 136, 154, 171
Dotierkonzentration, 115–117
Dotierung, 110–112, 123
Drain, 150
Drainschaltung, 199
Dreiecksschaltung, 55
DSP, 93–100
Digital Signal Processor, 99
Dual-Slope-Prinzip, 273
Ebene Welle, 318
ebene Welle, 381
effektive Masse, 107
Eingangsimpedanz, 53
Eingangssignal, 12
Eingangsstrom, 361
Eingangsverstärker, 7
Eingangswiderstand, 215, 323, 325, 359, 363
Einkristall
Si, 110
Einmoden-Gklasfaser, 349
Einschaltvorgang, 33–37
Einsteinbeziehung, 307
elektrische Kontakte, 120–144
Grundlagen, 120–121
p-n-Übergang, 121–125
Elektromotorische Kraft, 315
Elektronengas
2-dimensional, 155
Elektronenstrahllithographie, 155
Elektronik-Design-Labor, 213
Elementarladung, 91
EMF, 85, 86
fluktuierend, 85, 86
Emitter, 164
Emittereffizienz, 166
Emitterfolger, 192
Emitterschaltung, 168, 187
Spannungsgegenkopplung, 191
Stromgegenkopplung, 189
Energie
Fermi, 102, 108, 114, 121, 140, 155, 304, 313, 315, 436
Energielücke, 102, 104, 107, 115, 130, 170
Si, 145
Ensemblemittel, 531
Entropie, 87
Esaki–Tunnel–Diode, 182
Ewald-Konstruktion, 445
Exklusiv-NOR, 42
F, 338
Fabri-Perot-Interferometers, 415
Fabri-Perot-Spektrometer, 414
Fabry-Perot-Resonator, 357, 375
Faltung, 30
Faltungssatz, 30
Faradaybecher, 438
Fasern
Bragg-Gitter, 348
Fehlersignal, 12
Felddesorption, 437
Feldeffekt-Transistor, 150
Feldeffekt-Transistoren, 150–156
Feldionenmikroskop, 436
Feldionenmikroskopbild, 437
feldionenmikroskopische Abbildung, 437
Feldplatte, 296
Fermi–Energie, 108
Fermi-Energie, 102, 114, 121, 140, 155, 304, 313, 315, 436
Fermi-Niveau, 121
Festkörperelektronik, 101
FET, 150
Double–Gate JFET, 153
Grundschaltung, 198
Sperrschicht–, 151
Filter, 56–82
analog, 56–63
Bessel, 60
digital, 63–82
Abtastung, 63–65
Bausteine, 65–69
FIR, 72–77
Grundstrukturen, 69–72
IIR, 78–82
Finite Impulse Response, 72
FIR, 72
IIR, 72
Infinite Impulse Response, 72
Lineare Phase, 73
Finesse, 387, 415
Finite Impulse Response Filter, 72
FIR Filter, 99
FIR-Filter, 72–77
Flächengruppe, 526
Flash-Converter, 269
Flickerrauschen, 91
Flip–Flop, 157
Fluktuationen, 86
Fluktuations-Dissipations-Theorem, 86
FM-Übertragung, 84
Fotodiode
pin, 171
pn, 171
Fotodioden, 171
Avalanche, 172
Fotoeffekt
innerer, 170
Fotoelement, 172
Fotoleitfähigkeit, 170
Fotoleitung, 171
Störstelle, 171
Fototransistoren, 172
Fourieranalysatoren, 424
Fourieroptik, 381
Fouriertransformation, 21–28, 30, 36, 65, 85, 399, 423, 424, 449
Frame–Transfer–Konzept, 149
Frequenz, 281, 285–291
Frequenzgang–Kontrolle
universell, 210
Frequenzgang–Korrektur, 210
Frequenzmessung, 281
PLL, 288
Quartz, 285–291
Fresnel-Zahl, 384
Fresnelzahl, 380
Fuzzy-Logik, 21
Güteschaltung, 392
GaAa
MESFET, 153
GaAs, 102, 105, 110, 115, 117, 118, 130, 144, 151, 153, 171–173, 297
i, 155
MESFET, 153–155
Substrat
intrinsisch, 154
VCSEL, 175
Gate, 150
Gate–Steuerspannung, 151
Gateoxid, 101
Gateschaltung, 200
Gatter
Äquivalenz, 41
Antivalenz, 41
NAND, 40
Nicht, 39
NOR, 40
oder, 39
Und, 39
XNOR, 42
XOR, 43
Ge, 317, 338
Generations-Rekombinationsrauschen, 91
Generationsraten, 119
Gitterspektrometer, 411
Glasfaser
einmodig, 349
Numerische Apertur, 342
Gleichgewicht
thermodynamisch, 121
Gleichrichtung, 125–128, 180
Graded base band gap technique GBT, 170
Graetz-Schaltung, 232
Gray-Code, 46
Grenzflächenzustand, 136
GRIN-Linsen, 344
Grundlagen
mathematisch, 7–100
Grundschaltung
Bipolartransistor, 187
FET, 198
Transistor, 186
Grundschaltungen
Bauelemente, 176–204
Gruppenlaufzeit, 59–63, 73, 402, 428, 468–472, 474–478, 480–484, 486–490, 492, 494
Gruuppe
Fläche, 526
H-Matrix, 49
Halbleiter, 101, 102, 104, 106, 109, 110, 112, 114–118, 130, 133, 134, 136, 140–142, 151, 170, 174
amorph, 101
Bauelement, 116–120
direkt, 105, 117, 144
dotiert, 110–112
schwach, 118
stark, 118
Einkristall, 101, 120
Grundlagen, 101–120
Heteroübergang, 131
homogen, 112
ideal, 106
II-VI, 105
III-V, 105, 154, 155
indirekt, 105, 117
intrinsisch, 106–110, 118, 170
Ladungsträgerdichte, 112–115
Material, 109, 151, 170, 174
intrinsisch, 170
Messtechnik, 134
n-dotiert, 110, 119, 134, 135, 141, 170
p-dotiert, 110, 135, 140
quaternär, 102
Schichten
Epitaxie, 120
Technologie, 157
undotiert, 135
Volumen, 119, 137
Halbleiter–Laser, 173
Halbleiter-Bauelemente, 144–176
Halbleiter-Fotodetektoren, 171–172
Halbleiter-Metall, 120
Halbleiter-Speicher, 157–164
Halbleiter-Strahlungsquellen, 172–174
Hall-Effekt, 294
Heaviside-Funktion, 35
Hermitsche Polynome, 382
Hetero-Übergang, 130–133
Heteroübergang
isotyp, 131
modulationsdotiert, 132
High-Bit-Verfahren, 269
Hochpass, 60–61
Hopping-Prozess, 307
II–VI–Halbleiter, 105
III–V–Halbleiter, 105
IIR Filter, 99
IIR-Filter, 72, 78–82
Impedanz, 17, 18, 48
Quelle, 53
Impedanzanpassung, 324
Impedanztransformation, 326
INA105, 217, 221
InAs, 297
Induktivität, 87, 245–247
Induktivitätsbelag, 330
Infinite Impulse Response Filter, 72
Infrarot, 315
Injektion von Elektronen, 135
Injektion von Löchern, 135
inkommensurable Überstruktur, 529
innerer Fotoeffekt, 170
InSb, 297, 315, 317
Integrator, 69
Interferometer
Lloyd, 351
Prisma, 351
Interferometrie, 350
Interline–Konzept, 149
Inversionsschicht, 135
Inverter, 39
Ir, 304
Isolationswiderstand, 362
Isolatoren, 101, 102
Jitter, 423
Josephson-Effekt, 300
K, 313
Kanalbreite, 151
Kapazität, 245–247
Kapazitätsbelag, 330
Kapazitätsdiode, 182, 424
Karnaugh-Diagramm, 46
Karnaugh-Diagramme, 46–47
Kaskadierung
Blöcke, 10
Kommutativgesetz, 10
Kaskodenschaltung, 202
Khintchine, 24
Kirchhoff-Fresnel, 381
Knoten, 382
Koaxialleitung, 318
Kohärenz, 446
Kollektor, 164
Kollektorschaltung, 192
kommensurable Überstruktur, 529
Kommutativgesetz, 43
Kaskadierung, 10
Kompositionsgitter, 132
Kondensator, 17, 87
konfokaler Resonator, 382
Konjunktion, 39
Konstruktion
Ewald, 445
Kontakt
elektrisch, 120–144
Grundlagen, 120–121
p-n-Übergang, 121–125
injizierend, 135
Metall und n-Halbleiter, 134
Metall und p-Halbleiter, 134
Metall–Metall, 133
Metall-Halbleiter, 133–138
Metall-Isolator-Halbleiter, 138–144
ohmsch, 101, 133–138
real, 137
real, 137
Kontakte
ohmsche, 137
Kontaktpotential, 133
Kontinuitätsgleichung, 119
Kopplungsdämpfung, 345
Kopplungswirkungsgrad, 345
Korrelationsfunktion, 86
Korrelationszeit, 86
Kristall
Si, 121
Kristallstrukturen, 102
kritischer Tiefpass, 56–57
Kurzpulslaser, 392
Ladung, 235–237
Ladungsgekoppelte Baulelemente, 144–149
Ladungsmessung, 235–237
Ladungsneutralität, 118
Ladungsträger
Dichte, 112–115
Transport, 117–120
Ladungsträgerdichte, 112, 117, 121, 135, 150, 156, 295
injiziert, 119
Leitungsband, 110
Valenzband, 110
Laplace-Transformation, 26–28
diskret, 31
Vergleich z-Transformation, 31
Laser
Halbleiter, 173
Laserdiode, 345
Laserresonator, 382
Last
kapazitiv, 212
Lawineneffekt, 317
Lecherleitung, 319, 324
LED, 345
weiss, 173
LEED, 443
Leistungsanpassung, 53
Leistungsspektrum, 86
Leistungsspektrums, 87
Leiterbahn
Si, 159
Leitfähigkeit, 115–117
Leitung
koaxial, 318
Streifen, 318
Zweidraht, 318
Leitwert, 17, 18
Leitwerts, 150
Lineare Phase, 73
Lithographie
optisch, 158
Lloyd-Interferometer, 351
LM741, 217, 220, 228
Lock-In, 243
Lock-In Verstärker, 7, 277–280
Logische Verknüpfungen, 38–42
Low Energy Electron Diffraction, 443
MAC, 99
Multiplikator-Akkumulator, 99
Majoritätsladungsträger, 112
Maschinenbefehl, 95
MASH, 269
Masse
effektive, 107
Material
Halbleiter, 109, 151, 170, 174
intrinsisch, 170
Mathematische Grundlagen, 7–100
MC1436, 221
Mechanische Vibrationen, 374
mechanische Vibrationen, 374
MESFET, 150
GaAs, 153–155
Messgerät, 7, 176, 218, 219, 283, 359, 361–365, 420
analog, 219
Messtechnik
Halbleiter, 134
Messung
AC-Grössen, 221–234
Frequenz, 281
PLL, 288
Quartz, 285–291
Ladung, 235–237
Spannung, 218–221
Strom, 213–218
Widerstand, 237–245
Messverfahren, 213
Messvorschrift, 48
Messwiderstand, 213–216, 359, 365, 366
Metall-Halbleiter, 120
Kontakt, 134
Metall-Halbleiter-Kontakt, 120, 133–138
Metall-Isolator-Halbleiterkontakt, 138–144
Millersche Indizes, 525
Minoritätsladungsträger, 112
MIS, 138
MIS-Diode, 138–144
MISFET, 150
Mo, 304
Modenverteilung, 383
Modulation, 83–85
Modulationsdotierung, 132
MOS, 138
MOS-Diode, 138–144
MOSFET
n–Kanal, 156
p–Kanal, 156
Multi-Stage Noise Shaping, 269
Multimoden-Wellenleiter, 338
Multiquantum Well, 174
n–Schicht
inonenimplantiert, 146
n–Wannen Silizium–Gate CMOS–Prozesses, 159
n-dotiert, 140
n-Halbleiter, 110, 119, 134, 135, 141, 170
Na, 313
NAND, 41
NAND-Gatter, 40
Negation, 39
Netzfrequenz, 373
Netzwerkanalysator, 53, 425
skalar, 427
vektoriell, 427
Neutralisationsbedingung, 107
Ni, 304
Nicht-Gatter, 39
NOR, 41
Exklusiv, 42
NOR-Gatter, 40
Norton, 177–179
NOT, 39
Numerische Apertur, 342, 411
Gradientenindexfaser, 344
Nyquist, 89
Abtasttheorem, 423
Rauschen, 85
Theorem, 86
Nyquist-Frequenz, 64
Nyquist-Theorem, 86, 88
Oberflächenrekombinations–Geschwindigkeit, 120
Oberflächenstörstellen, 120
Oberfrequenz, 373
Oder, 40
Oder-Gatter, 39
OP27, 223
OPA111, 217
Operationsverstärker, 217, 221, 224, 225
Bias-Strom, 217
INA105, 217, 221
LM741, 217, 220, 228
MC1436, 221
OP27, 223
OPA111, 217
Standard, 204
optische Faser, 338
Optische Messverfahren, 375
optischer Datenübertragung, 374
Optoelektronik
Bauelemente, 170–174
OPV
Standard, 204
OR, 40
OTA, 212
Oversampling, 64, 268, 422
Oversamplings, 422
Oxidation
nass, 140
thermisch, 138
trocken, 140
p-Halbleiter, 110, 135, 140
p-n-Übergang, 121–125
vorgespannt, 125–128
PAL, 44
parabolische Näherung, 106
Parallelschaltung
Vierpol, 51
Parallelschwingkreis, 17, 19, 323, 325
Parallelwiderstand, 361
PbS, 315
PbSe, 315
PbTe, 315
Phase
Messung, 427
Phase Locked Loop, 288
Phasenmaske, 351
Phasenmessung, 427
Phasenreserve, 210
Phasenschieber, 62
Photo Multiplier, 314
Photodiode, 221, 371
Phototransistor, 317
piezoresistiv, 249
PIN–Diode, 182
PLL, 288
PMOS Aluminium–Gate–Prozess, 157
Pockelszelle, 393
Poggendorff’sche Kompensationsmethode, 220
Poggendorff-Kompensator, 216
Poisson–Gleichung, 121
Poisson-Zahl, 355
Pol
reell, 57
Polar-Plot, 515, 517, 518
Polardarstellung, 431, 432
Polychromator, 408
Polynom
Butterworth, 58
Tschebyscheff, 58
Potentiallinie, 329, 434
Potentialtheorie, 329
Poynting-Vektor, 395
Prismen-Interferometer, 351
PROM, 163
Pt, 304
pyroelektrischer Effekt, 312
Quartz, 285–291
R-2R-Netzwerk, 263
Rückkoppelsignal, 12
RAM
dynamisch, 162
statisch, 160
Raumladung, 121, 122, 127, 136, 142
MIS-Diode, 142
negativ, 131
positiv, 131, 134
Raumladungen, 121
Raumladungszone, 121–123, 125–128, 130, 131, 133, 135, 141, 142, 153, 168, 171, 315, 316
Anreicherung, 131
BC, 169
pn-Übergang, 315
Rauschbandbreite, 92
Rauschen, 85–93
1/f, 91, 373
Flickerrauschen, 91
Generationsrauschen, 91
Nyquist, 85
rekombinationsrauschen, 91
Schroteffekt, 91
thermisch, 359, 361, 362
weiss, 86, 91, 359, 362, 373
Widerstand, 85
Rauschspektrum, 89, 91
Rauschstrom, 91
Rechenwerk, 95
Rechnen
Blockschema, 10–12
Referenzoszillator, 7
Reflection high energy electron diffraction, 451
Reflexionsfaktor, 428
Reflexionsspektrum
Bragg-Gitter, 353
Rekombinationsprozesse, 117–120
Rekombinationsraten, 119
Relation
Wiener-Khintchine, 24
Relaxationsschwingung, 392
Resonator, 375–377, 379–381, 395, 400
Fabry-Perot, 357, 375
konfokal, 382, 386
RHEED, 132, 451
S-Parameter, 433
Sägezahnverfahren, 273
Sample&Hold, 260
Sb, 313
Scanning Tunneling Microscope, 221
SCCD, 146
Schaltalgebra, 42
Distributivgesetz, 43
Kommutativgesetz, 43
Postulate, 42
Theoreme, 43
Schaltdiode, 182
Schalter, 168
Schaltungstechnik, 101–212
Schieberegister
analog
dynamisch, 145
Schottky–Barriere, 137
Schottky–Diode, 182
Schottky–Modell, 123
Schottky-Diode, 133–138
Schroteffekt, 91
Schwarzkörperstrahlung, 89
Seebeck-Koeffizient, 311, 524, 531
Selbst-Phasenmodulation, 402
Sensoren, 213
Serienschaltung, 17
SET, 176
Shockley, 309
Shunt, 361
Si, 101–105, 109, 110, 114, 115, 117–119, 123, 124, 130, 138, 142, 144, 146, 151, 155, 171, 172, 180, 297, 317, 524
Atom, 110
Bauelement, 118
Diode, 131, 179
dotiert, 144
Einkristall, 110
Kristall, 121
Leiterbahn, 159
n-dotiert, 137
Oberfläche, 138
p-dotiert, 137, 156
Schicht, 158
Substrat, 102, 144, 146
n-dotiert, 156
Wafer, 157, 170
p-dotiert, 156
Signal, 16, 26, 62–65, 83–85, 92, 162, 192, 207, 220, 222, 224, 231, 234–237, 249, 260, 266–268, 272, 280, 283, 291, 374, 416, 424, 425, 429, 431, 432, 531
übertragen, 425
analog, 63, 64
digital, 63
oversampled, 268
reflektiert, 425
Signale, 20–21
Ausschaltvorgang, 20–21
digital, 21, 37–47
diskret, 21
Einschaltvorgang, 20–21
kontinuierlich, 20–47
periodisch, 20
wertdiskret, 20–47
zeitdiskret, 20–47
Signalfluss, 7, 12–16
Allgemeine Formel, 16
Begriffe, 14–15
Grundlagen, 12–14
Richtung, 9
Signalflussdiagramm, 12–16
Übertragung, 14
Allgemeine Formel, 16
Begriffe, 14–15
Definitionen, 15
Grundlagen, 12–14
Multiplikation, 14
Summation, 14
Signalgenerator, 427
Silizium, 102–105, 109, 110, 114, 115, 117–119, 123, 124, 130, 138, 142, 144, 146, 151, 155, 171, 172, 180, 297, 317, 524
Atom, 110
Bauelement, 118
Diode, 131, 179
dotiert, 144
Einkristall, 110
einkristallin, 101
Kristall, 121
Leiterbahn, 159
n-dotiert, 137
Obergläche, 138
p-dotiert, 137, 156
Schicht, 158
Substrat, 102, 144, 146
n-dotiert, 156
p-dotiert, 153
Wafer, 157, 170
p-dotiert, 156
Single electron transistor, 176
Single Quantum Well, 174
Single-mode Glasfaser, 349
Sintern, 306
SiSubstrat
p-dotiert, 153
Skintiefe, 336
Slew–Rate, 212
Smith-Chart, 427, 429, 430, 505, 511, 513, 516, 518
Smith-Diagramm, 431, 432
Solarzelle, 172
Solarzellen, 172
Source, 150
Sourceschaltung, 198
Spannungsgegenkopplung, 199
Stromgegenkopplung, 199
Spannung, 218–221
Spannungsbegrenzung, 182
Spannungsgegenkopplung, 191
Spannungsmessung, 218–221, 359, 361
Spannungsquelle, 20, 177, 178, 187, 204, 205, 218–221, 224, 238–241, 243, 263, 358, 360, 364, 365, 373
Spannungsstabilisierung, 182
Speicher
Halbleiter, 157–164
Spektralanalysator, 424
Spektrometer, 408
Spikes, 391
Spule, 17
SQUID, 301
SRAM, 160
Standard–OPV, 204
Sternschaltung, 54
Steuerung
bipolarer Transistor, 167
Stichleitung, 324
STM, 221, 371
Strahlung
ionisierend, 363
kosmisch, 363
Strahlungsquellen
Fotodetektoren, 171–172
Halbleiter, 172–174
Streakkamera, 419
Streifenleiter, 337
Streifenleitung, 318
Strom, 213–218
Strom–Spannungs–Wandler, 191
Strom–Verstärker, 205
Stromgegenkopplung, 189
Strommessung, 213–218, 359, 361
Stromquelle, 200
Stromspiegel, 200
Successive Approximation, 272
Summationspunkt, 12
surface channel CCD, 146
Symbole
Blockschema, 7–9
System
linear, 35
Talbot-Effekt, 351
Technologie
Halbleiter, 157
TEM-Moden, 382
TEM-Welle, 318, 458
Temperatur
leitfähigkeit, 115–117
Temperaturdrift, 374
Temperaturschwankung, 374
Theorie
Modulation, 83–85
thermische Oxidation, 138
Thermospannung, 361, 362
Thévenin, 177–179
Thyristoren, 375
Tiefpass, 57
Bessel, 60
Butterworth, 57–58
kritisch, 56–57
Tschebyscheff, 58–59
Tiefpass-Allpass-Transformation, 62–63
Tiefpass-Bandsperren-Transformation, 62
Tiefpass-Bandpass-Transformation, 61
Tiefpass-Bandsperre-Transformation, 62
Tiefpass-Hochpass-Transformation, 60–61
Tiefpassfilter, 232
Totzeitglied, 65
Transferweite, 446
Transformation
Fourier, 21–26
Laplace, 26–28
Tiefpass-Bandpass, 61
Tiefpass-Bandsperren, 62
Tiefpass-Hochpass, 60
Transformationen, 11–12
Transimpedanz–Verstärker, 205
Transistor, 49, 138, 150, 151, 155, 156, 165, 169, 184, 185, 191, 192, 196, 202, 203, 317, 433
bipolar, 172, 364
Grundschaltung, 187
Modell, 186
Si/SiGe, 170
Darlington
npn, 195
Feldeffekt, 150
Feldeffekt–, 150
Grundschaltung, 186
MOS, 175
npn, 164, 165, 200
bipolar,vertikal, 169
PMOS, 157
pnp, 164
lateral, 169
Vierpolparameter, 49
Transistoren
bipolar, 164–170
Feldeffekt, 150–156
unipolar, 150–156
Transkonduktanz–Verstärker, 204
Transkonduktanzverstärker, 212
Transport
Ladungsträger, 117–120
True-RMS-Gleichrichter, 231
Tschebyscheff-Polynom, 77
Tschebyscheff-Tiefpass, 58–59
Und, 39
Und-Gatter, 39
Unipolartransistoren, 150–156
Universalverstärker, 207
Unschärferelation, 86
VC–OP, 204
Verknüpfungen
logisch, 38–42
Verstärker
Lock-In, 277–280, 362
Verzögerungsglied, 65
Vierpol, 48–54
π-Glied, 55
Übertragungsfunktion, 52
Dtreiecksschaltung, 55
Kettenschaltung, 51
Kreuzglied, 55
Parallelschaltung, 51
Serienschaltung, 49
Sternschaltung, 54
T-Glied, 54
Theorie, 48–54
Vierpoldarstellung, 321
Vierpolparameter, 49
Voltmeter
digital, 364
Volumenstromdichte, 118
von Neumann-Architektur, 94
VV–OP, 204
Wägeverfahren, 272
Wafer
Si, 170
Wandler
Analog/Digital, 269–277
Digital/Analog, 256–269
Wandlerschaltungen, 256–277
Wechselspannung, 221–234
Wechselstrom, 221–234
weisses Rauschen, 86, 373
Widerstand, 17, 85, 86, 88–90, 213, 218–220, 224, 225, 231, 237–246, 256, 260, 456
gesteuert, 150
steuerbar, 197
Widerstandsmessung, 237–245, 362
Widerstandsrauschen, 85, 91
Wiener, 24
Wiener-Khintchine-Relation, 24
XNOR-Gatter, 42
XOR-Gatter, 43
Y-Matrix, 49
z-Transformation, 28–33
Rücktransformation, 31–33
Rechenregeln, 29–31
Vergleich Laplace-Transformation, 31
Zahlensystem, 37
Zahlensysteme, 38
Zeigerdiagramm, 17
Zeitmittel, 531
Zenerdiode, 182
Zustand
Grenzfläche, 136
Zweidrahtleitung, 318