©2002-2017 Ulm University, Othmar Marti, pict
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Index

Äquivalenz, 42
Äquivalenz-Gatter, 41
Überabtastung, 422
Übergang
    hetero, 130–133
    p-n, 121–125
        vorgespannt, 125–128
Überstruktur
    inkommensurabel, 529
    kommensurabel, 529
Übertragungsfunktionen, 17–18
1-Bit Wandler, 267
1/f-Rauschen, 91, 373

105, 217, 221
111, 217
741, 217, 220
1436, 221
4040, 256

Abtast-Halte-Glied, 260
Abtast-Halteglied, 64, 290
Abtasttheorem, 64
AD630, 280
ADC, 269–277
AFM
    Cantilever, 249
AFPSA, 404
Akusto-optischer Modulator, 393
Akzeptanzwinkel, 342
Akzeptoren, 110–112, 114, 116, 121, 131, 134, 136, 144, 171, 308
Algebra
    Boole, 42–45
Allpass, 62–63
ALU, 99
amorphes SiO2, 138
Analog-Digital-Wandler, 269–275
Analog/Digital-Wandler, 269–277
Analogfilter, 56–63
Analogsignal, 63, 64
AND, 39
Anodenstrom, 91
Antivalenz, 43
Antivalenz-Gatter, 41
Arbeitspunkt, 49
Arithmetisch-logische Einheit, 99
Atom
    Si, 110
Atom-Probe Feldionenmikroskopie, 438
Atomlage, 130
Aufbau
    planar, 153
Auflösung, 266, 268, 269, 271, 281, 283, 375, 412, 414, 415, 436
    spektral, 409, 414
    zeitlich, 417–419
Ausgangskennlinie, 156
Ausgangssignal, 12
Ausgangswiderstandes, 361
Austrittsarbeit, 133, 136, 313, 436
Avalanche-Effekt, 317

Bänderschema, 121, 130, 132, 134–136, 140, 141, 143, 145
    elektronisch, 154, 165
    Heteroübergang, 131
    Heterostruktur, 130
Band, 130–132, 134–136, 140, 141, 143, 145, 154
Banddiskontinuitäten, 130
Bandpass, 61
Bandsperre, 62
Bandverbiegung, 130
Basis, 164
Basismessverfahren, 213–280
Basisschaltung, 165, 168, 194
Basisvektoren, 526
Baublock, 7
Bauelement
    Halbleiter, 116
    Si, 118
Bauelemente, 101–212
    Aufbau, 144–176
    bipolare, 150
    Dreitor–, 150
    Funktion, 144–176
    Grundschaltungen, 176–204
    ladungsgekoppelt, 144–149
    linear, 176–179
    optoelektronisch, 170–174
    passiv, 176–179
    Technologie, 144–176
    unipolare, 150
Baulelemente
    Halbleiter, 144–176
BCCD, 146
Bessel-Tiefpass, 60
Besselfilter, 60
Beugungsverluste, 380
Bias-Strom, 217
Bildaufnahmeeinheiten, 146
Bildsensor, 145
Bindung
    kovalente, 103
Bipolare Transistoren, 164–170
Bitstream-Verfahren, 269
Block
    Kaskadierung, 10
Blockschema, 7–12, 272
    Rechnen, 10–12
    Symbole, 7–9
Bode-Diagramm, 224
Bolometer, 312
Boolesche Algebra, 42
Boolsche Algebra, 42–45
Brückenschaltung, 248–256
Bragg-Gitter in Fasern, 348
Bragg-Spiegel
    sättigbar, 403–405
Bravais-Gitter, 525
Bravais-Netz, 525
Brechungsindex, 326, 338, 340, 342, 343, 349, 350, 353–355, 388, 393, 402, 404
Brownsche Bewegung, 86
Buffer, 38
burried channel CCD, 146
Butterworth
    Polynom, 58
    Tiefpass, 57
Butterworth-Tiefpass, 57–58

Cantilever, 249
Cavity Dumping, 400
CCD, 144–149
CCD–Kamera, 145
CdS, 315
CdSe, 315
Chopper-Rad, 408
CMOS, 157–164
Computerarchitektur, 94
Coulomb–Barriere, 176
CPM-Laser, 401
CPM-Lasersystem, 400
Cs, 313
Curie-Temperatur, 309

Dämpfung, 338
DAC, 256–269
Darlington–Schaltung, 195
Darlington–Transistor, 196
Darlington-Transistor, 195, 196
Darstellung
    Blockschema, 7–12
    elektronische Messsysteme, 7–12
dB, 338
    deziBel, 338
Debye-Temperatur, 303
Deglitcher-Schaltung, 260
Dehnungsmessstreifen, 249
DeMorgansche Gesetze, 43
Demultiplexer, 260
Detektor
    phasenempfindlich, 427
deziBel, 338
    dB, 338
Diagramm
    Karnaugh, 46–47
    Signalfluss, 12–16
        Allgemeine Formel, 16
        Begriffe, 14–15
        Grundlagen, 12–14
Dichte
    Ladungsträger, 110, 112, 117, 121, 135, 150, 156, 295
        injiziert, 119
        Leitungsband, 110
Differenzverstärker, 202
Diffusionskoeffizient, 438
Diffusionskonstante, 118
Diffusionslängen, 118
Digital Signal Processor, 99
Digital-Analog-Wandler, 256, 260, 271, 272
digital-analog-Wandler, 64
Digital/Analog-Wandler, 256–269
Digitale Signale, 21, 37–47
Digitale Signalprozessoren, 93–100
Digitalfilter, 63–82
    Abtastung, 63–65
    Bausteine, 65–69
    FIR, 72–77
    Grundstrukturen, 69–72
    IIR, 78–82
Digitalsignal, 63
Diode, 126
    1N4148, 224
    1N914, 224
    Anwendungen, 180
    dynamisches Verhalten, 180
    Esaki–Tunnel, 182
    Foto
        pin, 171
        pn, 171
    Kapazität, 182
    MIS, 138–144
        ideal, 140
    MOS, 138–144
    npn, 200
    p–n
        Herstellung, 123
    PIN, 182
    Schalt, 182
    Schottky, 133–138, 182
    Si, 131, 179
    Zener, 182
Dioden, 125–128
Diodenmodelle, 180
Disjunktion, 40
Dispersion, 400
Dispersionskompensation, 400, 403, 404
Distributivgesetz, 43
    disjunktiv, 43
    konjunktiv, 43
Donatoren, 110–112, 114, 116, 121, 131, 134, 136, 154, 171
Dotierkonzentration, 115–117
Dotierung, 110–112, 123
Drain, 150
Drainschaltung, 199
Dreiecksschaltung, 55
DSP, 93–100
    Digital Signal Processor, 99
Dual-Slope-Prinzip, 273

Ebene Welle, 318
ebene Welle, 381
effektive Masse, 107
Eingangsimpedanz, 53
Eingangssignal, 12
Eingangsstrom, 361
Eingangsverstärker, 7
Eingangswiderstand, 215, 323, 325, 359, 363
Einkristall
    Si, 110
Einmoden-Gklasfaser, 349
Einschaltvorgang, 33–37
Einsteinbeziehung, 307
elektrische Kontakte, 120–144
    Grundlagen, 120–121
    p-n-Übergang, 121–125
Elektromotorische Kraft, 315
Elektronengas
    2-dimensional, 155
Elektronenstrahllithographie, 155
Elektronik-Design-Labor, 213
Elementarladung, 91
EMF, 85, 86
    fluktuierend, 85, 86
Emitter, 164
Emittereffizienz, 166
Emitterfolger, 192
Emitterschaltung, 168, 187
    Spannungsgegenkopplung, 191
    Stromgegenkopplung, 189
Energie
    Fermi, 102, 108, 114, 121, 140, 155, 304, 313, 315, 436
Energielücke, 102, 104, 107, 115, 130, 170
    Si, 145
Ensemblemittel, 531
Entropie, 87
Esaki–Tunnel–Diode, 182
Ewald-Konstruktion, 445
Exklusiv-NOR, 42

F, 338
Fabri-Perot-Interferometers, 415
Fabri-Perot-Spektrometer, 414
Fabry-Perot-Resonator, 357, 375
Faltung, 30
Faltungssatz, 30
Faradaybecher, 438
Fasern
    Bragg-Gitter, 348
Fehlersignal, 12
Felddesorption, 437
Feldeffekt-Transistor, 150
Feldeffekt-Transistoren, 150–156
Feldionenmikroskop, 436
Feldionenmikroskopbild, 437
feldionenmikroskopische Abbildung, 437
Feldplatte, 296
Fermi–Energie, 108
Fermi-Energie, 102, 114, 121, 140, 155, 304, 313, 315, 436
Fermi-Niveau, 121
Festkörperelektronik, 101
FET, 150
    Double–Gate JFET, 153
    Grundschaltung, 198
    Sperrschicht–, 151
Filter, 56–82
    analog, 56–63
    Bessel, 60
    digital, 63–82
        Abtastung, 63–65
        Bausteine, 65–69
        FIR, 72–77
        Grundstrukturen, 69–72
        IIR, 78–82
    Finite Impulse Response, 72
    FIR, 72
    IIR, 72
    Infinite Impulse Response, 72
    Lineare Phase, 73
Finesse, 387, 415
Finite Impulse Response Filter, 72
FIR Filter, 99
FIR-Filter, 72–77
Flächengruppe, 526
Flash-Converter, 269
Flickerrauschen, 91
Flip–Flop, 157
Fluktuationen, 86
Fluktuations-Dissipations-Theorem, 86
FM-Übertragung, 84
Fotodiode
    pin, 171
    pn, 171
Fotodioden, 171
    Avalanche, 172
Fotoeffekt
    innerer, 170
Fotoelement, 172
Fotoleitfähigkeit, 170
Fotoleitung, 171
    Störstelle, 171
Fototransistoren, 172
Fourieranalysatoren, 424
Fourieroptik, 381
Fouriertransformation, 21–28, 30, 36, 65, 85, 399, 423, 424, 449
Frame–Transfer–Konzept, 149
Frequenz, 281, 285–291
Frequenzgang–Kontrolle
    universell, 210
Frequenzgang–Korrektur, 210
Frequenzmessung, 281
    PLL, 288
    Quartz, 285–291
Fresnel-Zahl, 384
Fresnelzahl, 380
Fuzzy-Logik, 21

Güteschaltung, 392
GaAa
    MESFET, 153
GaAs, 102, 105, 110, 115, 117, 118, 130, 144, 151, 153, 171–173, 297
    i, 155
    MESFET, 153–155
    Substrat
        intrinsisch, 154
    VCSEL, 175
Gate, 150
Gate–Steuerspannung, 151
Gateoxid, 101
Gateschaltung, 200
Gatter
    Äquivalenz, 41
    Antivalenz, 41
    NAND, 40
    Nicht, 39
    NOR, 40
    oder, 39
    Und, 39
    XNOR, 42
    XOR, 43
Ge, 317, 338
Generations-Rekombinationsrauschen, 91
Generationsraten, 119
Gitterspektrometer, 411
Glasfaser
    einmodig, 349
    Numerische Apertur, 342
Gleichgewicht
    thermodynamisch, 121
Gleichrichtung, 125–128, 180
Graded base band gap technique GBT, 170
Graetz-Schaltung, 232
Gray-Code, 46
Grenzflächenzustand, 136
GRIN-Linsen, 344
Grundlagen
    mathematisch, 7–100
Grundschaltung
    Bipolartransistor, 187
    FET, 198
    Transistor, 186
Grundschaltungen
    Bauelemente, 176–204
Gruppenlaufzeit, 59–63, 73, 402, 428, 468–472, 474–478, 480–484, 486–490, 492, 494
Gruuppe
    Fläche, 526

H-Matrix, 49
Halbleiter, 101, 102, 104, 106, 109, 110, 112, 114–118, 130, 133, 134, 136, 140–142, 151, 170, 174
    amorph, 101
    Bauelement, 116–120
    direkt, 105, 117, 144
    dotiert, 110–112
        schwach, 118
        stark, 118
    Einkristall, 101, 120
    Grundlagen, 101–120
    Heteroübergang, 131
    homogen, 112
    ideal, 106
    II-VI, 105
    III-V, 105, 154, 155
    indirekt, 105, 117
    intrinsisch, 106–110, 118, 170
    Ladungsträgerdichte, 112–115
    Material, 109, 151, 170, 174
        intrinsisch, 170
    Messtechnik, 134
    n-dotiert, 110, 119, 134, 135, 141, 170
    p-dotiert, 110, 135, 140
    quaternär, 102
    Schichten
        Epitaxie, 120
    Technologie, 157
    undotiert, 135
    Volumen, 119, 137
Halbleiter–Laser, 173
Halbleiter-Bauelemente, 144–176
Halbleiter-Fotodetektoren, 171–172
Halbleiter-Metall, 120
Halbleiter-Speicher, 157–164
Halbleiter-Strahlungsquellen, 172–174
Hall-Effekt, 294
Heaviside-Funktion, 35
Hermitsche Polynome, 382
Hetero-Übergang, 130–133
Heteroübergang
    isotyp, 131
    modulationsdotiert, 132
High-Bit-Verfahren, 269
Hochpass, 60–61
Hopping-Prozess, 307

II–VI–Halbleiter, 105
III–V–Halbleiter, 105
IIR Filter, 99
IIR-Filter, 72, 78–82
Impedanz, 17, 18, 48
    Quelle, 53
Impedanzanpassung, 324
Impedanztransformation, 326
INA105, 217, 221
InAs, 297
Induktivität, 87, 245–247
Induktivitätsbelag, 330
Infinite Impulse Response Filter, 72
Infrarot, 315
Injektion von Elektronen, 135
Injektion von Löchern, 135
inkommensurable Überstruktur, 529
innerer Fotoeffekt, 170
InSb, 297, 315, 317
Integrator, 69
Interferometer
    Lloyd, 351
    Prisma, 351
Interferometrie, 350
Interline–Konzept, 149
Inversionsschicht, 135
Inverter, 39
Ir, 304
Isolationswiderstand, 362
Isolatoren, 101, 102

Jitter, 423
Josephson-Effekt, 300

K, 313
Kanalbreite, 151
Kapazität, 245–247
Kapazitätsbelag, 330
Kapazitätsdiode, 182, 424
Karnaugh-Diagramm, 46
Karnaugh-Diagramme, 46–47
Kaskadierung
    Blöcke, 10
    Kommutativgesetz, 10
Kaskodenschaltung, 202
Khintchine, 24
Kirchhoff-Fresnel, 381
Knoten, 382
Koaxialleitung, 318
Kohärenz, 446
Kollektor, 164
Kollektorschaltung, 192
kommensurable Überstruktur, 529
Kommutativgesetz, 43
    Kaskadierung, 10
Kompositionsgitter, 132
Kondensator, 17, 87
konfokaler Resonator, 382
Konjunktion, 39
Konstruktion
    Ewald, 445
Kontakt
    elektrisch, 120–144
        Grundlagen, 120–121
        p-n-Übergang, 121–125
    injizierend, 135
    Metall und n-Halbleiter, 134
    Metall und p-Halbleiter, 134
    Metall–Metall, 133
    Metall-Halbleiter, 133–138
    Metall-Isolator-Halbleiter, 138–144
    ohmsch, 101, 133–138
        real, 137
    real, 137
Kontakte
    ohmsche, 137
Kontaktpotential, 133
Kontinuitätsgleichung, 119
Kopplungsdämpfung, 345
Kopplungswirkungsgrad, 345
Korrelationsfunktion, 86
Korrelationszeit, 86
Kristall
    Si, 121
Kristallstrukturen, 102
kritischer Tiefpass, 56–57
Kurzpulslaser, 392

Ladung, 235–237
Ladungsgekoppelte Baulelemente, 144–149
Ladungsmessung, 235–237
Ladungsneutralität, 118
Ladungsträger
    Dichte, 112–115
    Transport, 117–120
Ladungsträgerdichte, 112, 117, 121, 135, 150, 156, 295
    injiziert, 119
    Leitungsband, 110
    Valenzband, 110
Laplace-Transformation, 26–28
    diskret, 31
    Vergleich z-Transformation, 31
Laser
    Halbleiter, 173
Laserdiode, 345
Laserresonator, 382
Last
    kapazitiv, 212
Lawineneffekt, 317
Lecherleitung, 319, 324
LED, 345
    weiss, 173
LEED, 443
Leistungsanpassung, 53
Leistungsspektrum, 86
Leistungsspektrums, 87
Leiterbahn
    Si, 159
Leitfähigkeit, 115–117
Leitung
    koaxial, 318
    Streifen, 318
    Zweidraht, 318
Leitwert, 17, 18
Leitwerts, 150
Lineare Phase, 73
Lithographie
    optisch, 158
Lloyd-Interferometer, 351
LM741, 217, 220, 228
Lock-In, 243
Lock-In Verstärker, 7, 277–280
Logische Verknüpfungen, 38–42
Low Energy Electron Diffraction, 443

MAC, 99
    Multiplikator-Akkumulator, 99
Majoritätsladungsträger, 112
Maschinenbefehl, 95
MASH, 269
Masse
    effektive, 107
Material
    Halbleiter, 109, 151, 170, 174
        intrinsisch, 170
Mathematische Grundlagen, 7–100
MC1436, 221
Mechanische Vibrationen, 374
mechanische Vibrationen, 374
MESFET, 150
    GaAs, 153–155
Messgerät, 7, 176, 218, 219, 283, 359, 361–365, 420
    analog, 219
Messtechnik
    Halbleiter, 134
Messung
    AC-Grössen, 221–234
    Frequenz, 281
        PLL, 288
        Quartz, 285–291
    Ladung, 235–237
    Spannung, 218–221
    Strom, 213–218
    Widerstand, 237–245
Messverfahren, 213
Messvorschrift, 48
Messwiderstand, 213–216, 359, 365, 366
Metall-Halbleiter, 120
    Kontakt, 134
Metall-Halbleiter-Kontakt, 120, 133–138
Metall-Isolator-Halbleiterkontakt, 138–144
Millersche Indizes, 525
Minoritätsladungsträger, 112
MIS, 138
MIS-Diode, 138–144
MISFET, 150
Mo, 304
Modenverteilung, 383
Modulation, 83–85
Modulationsdotierung, 132
MOS, 138
MOS-Diode, 138–144
MOSFET
    n–Kanal, 156
    p–Kanal, 156
Multi-Stage Noise Shaping, 269
Multimoden-Wellenleiter, 338
Multiquantum Well, 174

n–Schicht
    inonenimplantiert, 146
n–Wannen Silizium–Gate CMOS–Prozesses, 159
n-dotiert, 140
n-Halbleiter, 110, 119, 134, 135, 141, 170
Na, 313
NAND, 41
NAND-Gatter, 40
Negation, 39
Netzfrequenz, 373
Netzwerkanalysator, 53, 425
    skalar, 427
    vektoriell, 427
Neutralisationsbedingung, 107
Ni, 304
Nicht-Gatter, 39
NOR, 41
    Exklusiv, 42
NOR-Gatter, 40
Norton, 177–179
NOT, 39
Numerische Apertur, 342, 411
    Gradientenindexfaser, 344
Nyquist, 89
    Abtasttheorem, 423
    Rauschen, 85
    Theorem, 86
Nyquist-Frequenz, 64
Nyquist-Theorem, 86, 88

Oberflächenrekombinations–Geschwindigkeit, 120
Oberflächenstörstellen, 120
Oberfrequenz, 373
Oder, 40
Oder-Gatter, 39
OP27, 223
OPA111, 217
Operationsverstärker, 217, 221, 224, 225
    Bias-Strom, 217
    INA105, 217, 221
    LM741, 217, 220, 228
    MC1436, 221
    OP27, 223
    OPA111, 217
    Standard, 204
optische Faser, 338
Optische Messverfahren, 375
optischer Datenübertragung, 374
Optoelektronik
    Bauelemente, 170–174
OPV
    Standard, 204
OR, 40
OTA, 212
Oversampling, 64, 268, 422
Oversamplings, 422
Oxidation
    nass, 140
    thermisch, 138
    trocken, 140

p-Halbleiter, 110, 135, 140
p-n-Übergang, 121–125
    vorgespannt, 125–128
PAL, 44
parabolische Näherung, 106
Parallelschaltung
    Vierpol, 51
Parallelschwingkreis, 17, 19, 323, 325
Parallelwiderstand, 361
PbS, 315
PbSe, 315
PbTe, 315
Phase
    Messung, 427
Phase Locked Loop, 288
Phasenmaske, 351
Phasenmessung, 427
Phasenreserve, 210
Phasenschieber, 62
Photo Multiplier, 314
Photodiode, 221, 371
Phototransistor, 317
piezoresistiv, 249
PIN–Diode, 182
PLL, 288
PMOS Aluminium–Gate–Prozess, 157
Pockelszelle, 393
Poggendorff’sche Kompensationsmethode, 220
Poggendorff-Kompensator, 216
Poisson–Gleichung, 121
Poisson-Zahl, 355
Pol
    reell, 57
Polar-Plot, 515, 517, 518
Polardarstellung, 431, 432
Polychromator, 408
Polynom
    Butterworth, 58
    Tschebyscheff, 58
Potentiallinie, 329, 434
Potentialtheorie, 329
Poynting-Vektor, 395
Prismen-Interferometer, 351
PROM, 163
Pt, 304
pyroelektrischer Effekt, 312

Quartz, 285–291

R-2R-Netzwerk, 263
Rückkoppelsignal, 12
RAM
    dynamisch, 162
    statisch, 160
Raumladung, 121, 122, 127, 136, 142
    MIS-Diode, 142
    negativ, 131
    positiv, 131, 134
Raumladungen, 121
Raumladungszone, 121–123, 125–128, 130, 131, 133, 135, 141, 142, 153, 168, 171, 315, 316
    Anreicherung, 131
    BC, 169
    pn-Übergang, 315
Rauschbandbreite, 92
Rauschen, 85–93
    1/f, 91, 373
    Flickerrauschen, 91
    Generationsrauschen, 91
    Nyquist, 85
    rekombinationsrauschen, 91
    Schroteffekt, 91
    thermisch, 359, 361, 362
    weiss, 86, 91, 359, 362, 373
    Widerstand, 85
Rauschspektrum, 89, 91
Rauschstrom, 91
Rechenwerk, 95
Rechnen
    Blockschema, 10–12
Referenzoszillator, 7
Reflection high energy electron diffraction, 451
Reflexionsfaktor, 428
Reflexionsspektrum
    Bragg-Gitter, 353
Rekombinationsprozesse, 117–120
Rekombinationsraten, 119
Relation
    Wiener-Khintchine, 24
Relaxationsschwingung, 392
Resonator, 375–377, 379–381, 395, 400
    Fabry-Perot, 357, 375
    konfokal, 382, 386
RHEED, 132, 451

S-Parameter, 433
Sägezahnverfahren, 273
Sample&Hold, 260
Sb, 313
Scanning Tunneling Microscope, 221
SCCD, 146
Schaltalgebra, 42
    Distributivgesetz, 43
    Kommutativgesetz, 43
    Postulate, 42
    Theoreme, 43
Schaltdiode, 182
Schalter, 168
Schaltungstechnik, 101–212
Schieberegister
    analog
        dynamisch, 145
Schottky–Barriere, 137
Schottky–Diode, 182
Schottky–Modell, 123
Schottky-Diode, 133–138
Schroteffekt, 91
Schwarzkörperstrahlung, 89
Seebeck-Koeffizient, 311, 524, 531
Selbst-Phasenmodulation, 402
Sensoren, 213
Serienschaltung, 17
SET, 176
Shockley, 309
Shunt, 361
Si, 101–105, 109, 110, 114, 115, 117–119, 123, 124, 130, 138, 142, 144, 146, 151, 155, 171, 172, 180, 297, 317, 524
    Atom, 110
    Bauelement, 118
    Diode, 131, 179
    dotiert, 144
    Einkristall, 110
    Kristall, 121
    Leiterbahn, 159
    n-dotiert, 137
    Oberfläche, 138
    p-dotiert, 137, 156
    Schicht, 158
    Substrat, 102, 144, 146
        n-dotiert, 156
    Wafer, 157, 170
        p-dotiert, 156
Signal, 16, 26, 62–65, 83–85, 92, 162, 192, 207, 220, 222, 224, 231, 234–237, 249, 260, 266–268, 272, 280, 283, 291, 374, 416, 424, 425, 429, 431, 432, 531
    übertragen, 425
    analog, 63, 64
    digital, 63
    oversampled, 268
    reflektiert, 425
Signale, 20–21
    Ausschaltvorgang, 20–21
    digital, 21, 37–47
    diskret, 21
    Einschaltvorgang, 20–21
    kontinuierlich, 20–47
    periodisch, 20
    wertdiskret, 20–47
    zeitdiskret, 20–47
Signalfluss, 7, 12–16
    Allgemeine Formel, 16
    Begriffe, 14–15
    Grundlagen, 12–14
    Richtung, 9
Signalflussdiagramm, 12–16
    Übertragung, 14
    Allgemeine Formel, 16
    Begriffe, 14–15
    Definitionen, 15
    Grundlagen, 12–14
    Multiplikation, 14
    Summation, 14
Signalgenerator, 427
Silizium, 102–105, 109, 110, 114, 115, 117–119, 123, 124, 130, 138, 142, 144, 146, 151, 155, 171, 172, 180, 297, 317, 524
    Atom, 110
    Bauelement, 118
    Diode, 131, 179
    dotiert, 144
    Einkristall, 110
    einkristallin, 101
    Kristall, 121
    Leiterbahn, 159
    n-dotiert, 137
    Obergläche, 138
    p-dotiert, 137, 156
    Schicht, 158
    Substrat, 102, 144, 146
        n-dotiert, 156
        p-dotiert, 153
    Wafer, 157, 170
        p-dotiert, 156
Single electron transistor, 176
Single Quantum Well, 174
Single-mode Glasfaser, 349
Sintern, 306
SiSubstrat
    p-dotiert, 153
Skintiefe, 336
Slew–Rate, 212
Smith-Chart, 427, 429, 430, 505, 511, 513, 516, 518
Smith-Diagramm, 431, 432
Solarzelle, 172
Solarzellen, 172
Source, 150
Sourceschaltung, 198
    Spannungsgegenkopplung, 199
    Stromgegenkopplung, 199
Spannung, 218–221
Spannungsbegrenzung, 182
Spannungsgegenkopplung, 191
Spannungsmessung, 218–221, 359, 361
Spannungsquelle, 20, 177, 178, 187, 204, 205, 218–221, 224, 238–241, 243, 263, 358, 360, 364, 365, 373
Spannungsstabilisierung, 182
Speicher
    Halbleiter, 157–164
Spektralanalysator, 424
Spektrometer, 408
Spikes, 391
Spule, 17
SQUID, 301
SRAM, 160
Standard–OPV, 204
Sternschaltung, 54
Steuerung
    bipolarer Transistor, 167
Stichleitung, 324
STM, 221, 371
Strahlung
    ionisierend, 363
    kosmisch, 363
Strahlungsquellen
    Fotodetektoren, 171–172
    Halbleiter, 172–174
Streakkamera, 419
Streifenleiter, 337
Streifenleitung, 318
Strom, 213–218
Strom–Spannungs–Wandler, 191
Strom–Verstärker, 205
Stromgegenkopplung, 189
Strommessung, 213–218, 359, 361
Stromquelle, 200
Stromspiegel, 200
Successive Approximation, 272
Summationspunkt, 12
surface channel CCD, 146
Symbole
    Blockschema, 7–9
System
    linear, 35

Talbot-Effekt, 351
Technologie
    Halbleiter, 157
TEM-Moden, 382
TEM-Welle, 318, 458
Temperatur
    leitfähigkeit, 115–117
Temperaturdrift, 374
Temperaturschwankung, 374
Theorie
    Modulation, 83–85
thermische Oxidation, 138
Thermospannung, 361, 362
Thévenin, 177–179
Thyristoren, 375
Tiefpass, 57
    Bessel, 60
    Butterworth, 57–58
    kritisch, 56–57
    Tschebyscheff, 58–59
Tiefpass-Allpass-Transformation, 62–63
Tiefpass-Bandsperren-Transformation, 62
Tiefpass-Bandpass-Transformation, 61
Tiefpass-Bandsperre-Transformation, 62
Tiefpass-Hochpass-Transformation, 60–61
Tiefpassfilter, 232
Totzeitglied, 65
Transferweite, 446
Transformation
    Fourier, 21–26
    Laplace, 26–28
    Tiefpass-Bandpass, 61
    Tiefpass-Bandsperren, 62
    Tiefpass-Hochpass, 60
Transformationen, 11–12
Transimpedanz–Verstärker, 205
Transistor, 49, 138, 150, 151, 155, 156, 165, 169, 184, 185, 191, 192, 196, 202, 203, 317, 433
    bipolar, 172, 364
        Grundschaltung, 187
        Modell, 186
        Si/SiGe, 170
    Darlington
        npn, 195
    Feldeffekt, 150
    Feldeffekt–, 150
    Grundschaltung, 186
    MOS, 175
    npn, 164, 165, 200
        bipolar,vertikal, 169
    PMOS, 157
    pnp, 164
        lateral, 169
    Vierpolparameter, 49
Transistoren
    bipolar, 164–170
    Feldeffekt, 150–156
    unipolar, 150–156
Transkonduktanz–Verstärker, 204
Transkonduktanzverstärker, 212
Transport
    Ladungsträger, 117–120
True-RMS-Gleichrichter, 231
Tschebyscheff-Polynom, 77
Tschebyscheff-Tiefpass, 58–59

Und, 39
Und-Gatter, 39
Unipolartransistoren, 150–156
Universalverstärker, 207
Unschärferelation, 86

VC–OP, 204
Verknüpfungen
    logisch, 38–42
Verstärker
    Lock-In, 277–280, 362
Verzögerungsglied, 65
Vierpol, 48–54
    π-Glied, 55
    Übertragungsfunktion, 52
    Dtreiecksschaltung, 55
    Kettenschaltung, 51
    Kreuzglied, 55
    Parallelschaltung, 51
    Serienschaltung, 49
    Sternschaltung, 54
    T-Glied, 54
    Theorie, 48–54
Vierpoldarstellung, 321
Vierpolparameter, 49
Voltmeter
    digital, 364
Volumenstromdichte, 118
von Neumann-Architektur, 94
VV–OP, 204

Wägeverfahren, 272
Wafer
    Si, 170
Wandler
    Analog/Digital, 269–277
    Digital/Analog, 256–269
Wandlerschaltungen, 256–277
Wechselspannung, 221–234
Wechselstrom, 221–234
weisses Rauschen, 86, 373
Widerstand, 17, 85, 86, 88–90, 213, 218–220, 224, 225, 231, 237–246, 256, 260, 456
    gesteuert, 150
    steuerbar, 197
Widerstandsmessung, 237–245, 362
Widerstandsrauschen, 85, 91
Wiener, 24
Wiener-Khintchine-Relation, 24

XNOR-Gatter, 42
XOR-Gatter, 43

Y-Matrix, 49

z-Transformation, 28–33
    Rücktransformation, 31–33
    Rechenregeln, 29–31
    Vergleich Laplace-Transformation, 31
Zahlensystem, 37
Zahlensysteme, 38
Zeigerdiagramm, 17
Zeitmittel, 531
Zenerdiode, 182
Zustand
    Grenzfläche, 136
Zweidrahtleitung, 318



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