3.1  Halbleiter–Grundlagen
  3.1.1  Grundlagen
  3.1.2  Intrinsischer Halbleiter
  3.1.3  Dotierung von Halbleitern
  3.1.4  Ladungsträgerdichten im dotierten Halbleiter
  3.1.5  Leitfähigkeit in Abhängigkeit von Dotierkonzentration und Temperatur
  3.1.6  Rekombinationsprozesse und Ladungsträgertransport: Grundgleichungen zur Funktion von Halbleiter–Bauelementen
 3.2  Phänomene elektrischer Kontakte
  3.2.1  Grundlagen
  3.2.2  p–n–Übergänge
  3.2.3  Vorgespannte p–n–Übergänge — gleichrichtende Dioden
  3.2.4  Hetero–Übergänge
  3.2.5  Metall–Halbleiter–Kontakte (Ohmsche Kontakte, Schottky–Dioden)
  3.2.6  Metall–Isolator–Halbleiterkontakte (MIS– und MOS–Dioden)
 3.3  Wichtige Halbleiter–Bauelemente (Aufbau, Funktion, Technologie)
  3.3.1  Ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD charge coupled devices)
  3.3.2  Feldeffekt–Transistoren (Unipolare Transistoren)
  3.3.3  CMOS–Technologie und Halbleiter–Speicher
  3.3.4  Bipolare Transistoren (BJT Biplor Junction Transistor, Injektionstransistoren)
  3.3.5  Einige Optoelektronische Bauelemente
  3.3.6  Ausblick
 3.4  Grundschaltungen
  3.4.1  Lineare passive Bauelemente
  3.4.2  Dioden
  3.4.3  Bipolartransistoren
  3.4.4  Feldeffekttransistoren
  3.4.5  Einige Grundschaltungen mit Transistoren
 3.5  Operationsverstärker
  3.5.1  Grundlagen, Grundtypen, Rückkopplung
  3.5.2  Standard–Operationsverstärker (VV–OPV)
  3.5.3  Transkonduktanz–Verstärker (VC–OPV)