2.2 Ein Differentialoperator in der Blockschaltbildschreibweise
2.3 Ein Integraloperator in der Blockschaltbildschreibweise
2.4 Ein Abnahmepunkt. Das Eingangssignal wird nach rechts auf drei Zweige aufgeteilt.
2.5 Ein Abnahmepunkt. Hier wird ein Teil des Signals rückgekoppelt
2.6 Ein Summationspunkt. Die Operatoren + und - geben an, ob addiert oder subtrahiert werden soll
2.7 Das Blockschaltbild der Differentialgleichung (2.1) in der Form (2.3).
2.8 Das Blockschaltbild der Differentialgleichung (2.1) in der Form (2.4).
2.9 Kaskade von zwei Blöcken
2.10 Das Kommutativgesetz für einen Block.
2.11 Blockschaltbild eines rückgekoppeltes Systems
2.12 Signalflussdiagramm. Oben ist ein allgemeiner Zweig dargestellt, bei dem gilt: Y i = AijXj. Als Beispiel ist unten das Ohm’sche Gesetz U = RI gezeigt.
2.13 Summation in einem Signalflussdiagramm: Y j = ∑ i=1nA jiXi.
2.14 Übertragungsregeln in einem Signalflussdiagramm: Xj = AjkXk für (k = 1, 2,…,n).
2.15 Multiplikationsregeln für Signalflussdiagramme
2.16 Signalflussdiagramm zur Erklärung der Definitionen
2.17 Zeigerdiagramm für die Spannung
2.18 Ortskurve für einen realen Parallelschwingkreis
2.19 Ortskurve für einen Parallelschwingkreis
2.20 Digitale Übertragungskette im Zeitbereich
2.21 Digitale Übertragungskette im Frequenzbereich
2.22 Einschalten einer Spannung an einem RC-Glied
2.23 Kombinierte Stoss- und Sprungfunktion
2.24 Anlegen einer Wechselspannung an eine Spule
2.25 Resultierende Ströme beim Anlegen einer Wechselspannung an eine Spule. Links: Einschalten im Nulldurchgang, Rechts: Einschalten bei Maximalspannung.
2.26 Negation, Nicht-Gatter und NOT
2.27 Und, Und-Gatter, Konjunktion und AND
2.28 Oder, Oder-Gatter, Disjunktion, OR
2.29 NAND, NAND-Gatter
2.30 NOR, NOR-Gatter
2.31 Äquivalenz, Exklusiv-NOR, XNOR
2.32 Antivalenz, XOR-Gatter
2.33 Vergleich einer Wahrheitstabelle mit einem Karnaugh-Diagramm
2.34 Erweitertes Beispiel zum Vergleich einer Wahrheitstabelle mit einem Karnaugh-Diagramm
2.35 Anschlüsse, Ströme und Spannungen bei einem Vierpol
2.36 Serieschaltung zweier Vierpole
2.37 Parallelschaltung zweier Vierpole
2.38 Kettenschaltung zweier Vierpole
2.39 Übertragungsfunktion eines Vierpols
2.40 Ersatzschaltung eines Vierpols: T- Glied (Sternschaltung)
2.41 Ersatzschaltung eines Vierpols
2.42 Ersatzschaltung eines Vierpols: Kreuzpol
2.43 Systemumgebung eines digitalen Filters
2.44 Analoge und digitale Funktionen
2.45 Spektrum der Eingangsspannung vor und nach dem Abtasten
2.46 Oversampling oder Schwebung beim Abtasten
2.47 Fensterfunktion beim Abtasten mit Rechteckpulsen
2.48 Digitale Signalverarbeitungskette
2.49 Ein Beispieltiefpass
2.50 Frequenzgang eines digitalen Tiefpasses mit β1 = −0, 85
2.51 Sprungantwort eines digitalen Tiefpasses mit β1 = −0, 85
2.52 Frequenzgang eines digitalen Hochpasses mit β1 = 0, 85
2.53 Sprungantwort eines digitalen Hochpasses mit β1 = 0, 85
2.54 Der digitale Tiefpass als Integrator
2.55 Digitales Filter mit verteilten Summierern
2.56 Digitales Filter mit globalen Summierern an Eingang und Ausgang
2.57 Digitales Filter mit einem globalen Summierer am Ausgang
2.58 Kaskadierung von digitalen Filtern
2.59 FIR Tiefpass 1. Ordnung
2.60 FIR Hochpass 1. Ordnung
2.61 FIR Tiefpass 2. Ordnung
2.62 FIR Hochpass 2. Ordnung
2.63 FIR Bandsperre 2. Ordnung
2.64 FIR Bandpass 2. Ordnung
2.65 transformation eines Filters auf periodischen Frequenzgang
2.66 Struktur eines IIR-Filters erster Ordnung
2.67 Allgemeines IIR-Filter zweiter Ordnung
2.68 Der RLC-Kreis für Rauschuntersuchungen
2.69 Widerstand und allgemeine Impedanz im Gleichgewicht
2.70 Berechnung der Rauschspannung nach Nyquist
2.71 Signal- und Rauschbandbreite eines Tiefpassfilters
2.72 von Neumannsche Struktur eines Computers
2.73 Rechenoperationen bei von Neumannscher Archidektur
2.74 Abarbeitung eines Maschinenbefehls
2.75 Blockschaltbild eines Signalprozessors
2.76 Ablaufs einer Rechenoperation in einem Signalprozessor
2.77 Blockschaltbild der MAC-Einheit eines Signalprozessors
3.1 Element-, binäre und ternäre Verbindungshalbleiter. (gezeichnet nach Paul [Pau89])
3.2 Schematischer Verlauf der Bandaufspaltung
3.3 Bindungsstruktur (kovalente Bindung) des Eigenhalbleiters in zweidimensionaler Darstellung mit zunehmender zeichnerischer Abstraktion. (gezeichnet nach Paul [Pau89])
3.4 Verschiedene Bandstrukturen
3.5 Fermi–Funktion und Zustandsdichte
3.6 Abhaengigkeit der Fermi-Energie
3.7 Schematische Darstellung der Wirkung eines Donators
3.8 Qualitative Lage der Grundzustandniveaus von Donatoren und Akzeptoren
3.9 Schematisches Bändermodell, Zustandsdichte und Fermi–Verteilung sowie Ladungsträgerdichten für a) intrinsische, b) n– und c) p–Halbleiter. (gezeichnet nach Sze ([Sze81])
3.10 Qualitative Abhängigkeit der Elektronenkonzentration
3.11 Beweglichkeit als Funktion der Elektronen–Konzentration
3.12 Schematische Abhängigkeit der Beweglichkeit
3.13 Spezifischer Widerstand in Abhängigkeit der Konzentration der Verunreinigungen
3.14 Rekombinationsprozesse
3.15 Elektronendiffusion mit Rekombinationsprozessen
3.16 Qualitatives Schema eines p–n–Uebergangs
3.17 Das Schottky–Modell der Raumladungszone
3.18 Einige Herstellungsmethoden für p–n–Dioden
3.19 Vergleich der Dotierprofile
3.20 Schema eines p–n–Uebergangs
3.21 Schematische Darstellung des Zustandekommens des Sperrstromes
3.22 Schema der Strom–Spannungs Kennlinie
3.23 Kennlinie einer p–n–Diode
3.24 Sperrschichtkapazitaet, Diffusionskapazitaet und Gesamtkapazitaet
3.25 Baenderschemata
3.26 Baenderschema eines Halbleiter–Heterouebergangs
3.27 Modulationsdotierter Heterouebergang
3.28 Baenderschema eines modulationsdotierten Kompositions–Uebergitters
3.29 Energiezustände von Elektronen
3.30 Bänderschema eines Metall–Metall–Kontakts
3.31 Bänderschema eines Kontakts zwischen Metall und n–Halbleiter
3.32 Verarmungsrandschicht für Löcher.
3.33 Löcherinjektion im Zwei–Band–Modell
3.34 Elektronisches Bänderschema eines Metall – n–Halbleiter–Übergangs
3.35 Aufbau einer PtSi–n–Si–Diode
3.36 Ohmscher Metall – n–Halbleiter–Kontakt
3.37 Kennlinie eines gleichrichtenden Metall–Halbleiter–Kontaktes
3.38 Zum Vergleich: Beispiele gemessener Diodenkennlinien
3.39 Aufwachsen von SiO2
3.40 Schematischer Aufbau einer MIS–Diode
3.41 Baenderschema einer idealen MIS-Diode
3.42 Baenderschema einer idealen MIS–Dioden mit aeusserer Spannung
3.43 Ladungsverhältnisse in einer realen MOS–Diode
3.44 Baenderschema und Raumladungen eines realen MOS–Kontaktes
3.45 Baenderschema einer MOS–Diode
3.46 Baenderschema einer Si-MOS-Diode unter Beleuchtung
3.47 Schnitt durch eine Dreiphasen–CCD–Verschiebeeinheit
3.48 Aufbau eines n–Kanal–CCD
3.49 Potentialverlauf und Ladungsverteilung
3.50 Trapping
3.51 Aufbau eines n–Kanal–BCCD
3.52 Aufbau eines BCCD
3.53 Frame–Transfer–Konzept.
3.54 Schaltsymbole für den FET.
3.55 Prinzip des Sperrschicht–FET. (frei nach Rost [Ros83])
3.56 JFET mit negativer Gate–Source–Spannung (frei nach Rost [Ros83]).
3.57 Kennlinien des JFET. (frei nach Rost [Ros83])
3.58 Schematischer Aufbau eines planaren JFET
3.59 Aufbau eines Double–Gate JFET
3.60 Aufbau eines GaAs MESFET
3.61 MESFET
3.62 HEMT
3.63 MOSFET
3.64 Kennlinien von Kurz– und Langkanal–MOSFETs
3.65 CMOS–Technik: Inverter links Schaltbild und rechts im technologischen Aufbau.
3.66 CMOS–Inverter
3.67 CMOS: p– und n–Kanal–E–Type MOSFETs
3.68 Uebersicht ueber die verbreitesten Halbleiter–Speichertypen
3.69 CMOS–Speicherzelle
3.70 DRAM–Zelle
3.71 FAMOS–Struktur
3.72 Schaltsymbole eines a) pnp– und b) npn–Transistors
3.73 Basisschaltung eines npn–Transistors
3.74 npn–Transistor im Gleichgewicht
3.75 Uebertragungs– und Ausgangskennlinie
3.76 Emitterschaltung: Eingangs– und Ausgangskennlinien
3.77 Emitterschaltung: Bipolartransistor als Schalter
3.78 Querschnitt und Dotierprofil des vertikalen npn–Bipolartransistors
3.79 AlGaAs–GaAs–Hetero–Bipolartransistor
3.80 Schema der pnn-Fotodiode
3.81 Prinzip des Fototransistors
3.82 PN-Laserdiode mit angelegter Spannung
3.83 Prinzip des Laserresonators
3.84 Quantum Well Lasers. (skizziert nach Yariv [Yar75]
3.85 GaAs–VCSEL für 750 nm
3.86 Coulomb–Blockade und Single electron electronics (skizziert nach Ahmed [Ahm97]).
3.87 Theveninsche Ersatzschaltung
3.88 Unbelasteter und belasteter Spannungsteiler
3.89 Beispiel fuer die Ersatzschaltung eines Spannungsteilers
3.90 Diode: Schaltzeichen und Aufbau
3.91 Kleinsignal–Diode
3.92 Einweggleichrichter oben und zwei Klemmen unten
3.93 Zweiweg–Brueckengleichrichter
3.94 Schaltsymbol und Durchbruchkennlinien
3.95 Schaltzeichen und spannungsabhängige Kapazitäten
3.96 Spannungen und Ströme eines npn–Transistors
3.97 Gross– und Kleinsignalverstärkung
3.98 Zur Bestimmung des Arbeitspunktes eines npn–Transistors
3.99 Zur Bestimmung des Arbeitspunktes im Eingangs– und Ausgangskennlinienfeld
3.100 Gleichstrom–Kleinsignalersatzschaltbild des Bipolartransistors
3.101 Emitterschaltung: Schaltbild und Ersatzschaltbild für den Normalbetrieb
3.102 Emitterschaltung: Übertragungskennlinie
3.103 Emitterschaltung: Übertragungskennlinie und Verstärkung
3.104 Emitterschaltung: Kleinsignal–Ersatzschaltbild
3.105 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung
3.106 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung: Übertragungskennlinie
3.107 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung: Kleinsignal–Ersatzschaltbild
3.108 Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung: Schaltung und Ersatzschaltbild (Normalbetrieb)
3.109 Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung: Übertragungskennlinie und Verstärkung
3.110 Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung: Kleinsignal–Ersatzschaltbild
3.111 Kollektorschaltung: Schaltbild und Ersatzschaltbild
3.112 Kollektorschaltung: Kennlinien
3.113 Kollektorschaltung: Kleinsignal–Ersatzschaltbild
3.114 Kollektorschaltung: Widerstandstransformation
3.115 Basisschaltung: Schaltbild und Ersatzschaltbild für den Normalbetrieb
3.116 Basisschaltung: Kennlinien
3.117 Basisschaltung: Kleinsignal–Ersatzschaltbild
3.118 npn–Darlington–Transistor: Schaltung und Schaltzeichen
3.119 Darlington–Transistor: zum Schaltverhalten
3.120 Zum Steilheitskoeffizient
3.121 Sourceschaltung: Schaltung und Ersatzschaltbild
3.122 Sourceschaltung: Übertragungskennlinie
3.123 Transimpedanzverstärker
3.124 Prinzip einer einfachen Stromquelle
3.125 Beispiele einfacher Stromquellen
3.126 Prinzip eines einfachen Stromspiegels
3.127 Prinzip der Kaskodenschaltung
3.128 Grundschaltung des Differenzverstärkers
3.129 Operationsverstärker
3.130 OPV–Typen
3.131 VV-OPV mit einfacher ohmscher Gegenkopplung
3.132 Aufbau eines einfachen VV–OPV
3.133 Einfacher Universalverstärker
3.134 Operationsverstärker der 741–Klasse
3.135 Bode–Diagramm eines unkorrigierten OPVs der 741–Klasse
3.136 Grenzfrequenzen der OPV der 741–Klasse
3.137 Zur Phasenreserve
3.138 Zur universellen Frequenzgangkorrektur
4.1 Messung des Ausgangsstroms einer Stromquelle mit einem Strommesser
4.2 Strommessung mit Spannungsmesser
4.3 Strommessung mit umschaltbarem Strommesser
4.4 Strommesser mit umschaltbarem Innenwiderstand
4.5 Strommesser mit umschaltbarem Messwiderstand
4.6 Kompensationsmethode
4.7 Strommessung mit Operationsverstärker
4.8 Erdfreie Präzisionsmessung des Stromes
4.9 Spannungsmessung mit Spannungsmesser
4.10 Spannungsmessung mit Strommesser
4.11 Spannungsmessung mit Teilerkette
4.12 Spannungsmessung mit Strommesser und umschaltbaren Vorwiderständen
4.13 Poggendorff’sche Kompensationsmethode
4.14 Spannungsmessung mit Operationsverstärkern
4.15 Spannungsmessung mit Instrumentenverstärker
4.16 Frequenzgang der Gegentaktverstärkung eines Instrumentenverstärker
4.17 Frequenzgang der Gleichtaktverstärkung eines Instrumentenverstärker
4.18 Frequenzgang eines hochwertigen Instrumentenverstärkers
4.19 Spannungsmessung an Koaxialkabel
4.20 Spannungsmessung über Koaxialkabel mit nachgeführter Spannung am Schirm
4.21 Spannungsmessung über Koaxialkabel: verbesserte methode
4.22 Messung der Scheitelspannung
4.23 Messung der Scheitelspannung mit Diode
4.24 Halbwellengleichrichter mit Operationsverstärker
4.25 Halbwellengleichrichter mit Operationsverstärker
4.26 Halbwellengleichrichter mit TL074
4.27 Vollwellengleichrichter mit Operationsverstärker
4.28 Vollwellengleichrichter mit LM741
4.29 Vollwellengleichrichter mit TL074
4.30 Vollwellengleichrichter mit Transistoren
4.31 True-RMS Wandler
4.32 Real-Time-Vektormesser
4.33 Brückenschaltung (Graetz-Schaltung)
4.34 Brückenschaltung mit Operationsverstärker
4.35 Brückenschaltung mit Transformator als Wandler
4.36 Ladungsmessung über Ladungstransfer
4.37 Ladungsmessung über Ladungstransfer
4.38 Ladungsmessung mit Integrator
4.39 Ladungsmessung mit Integrator
4.40 Stromrichtige Widerstandsmessung.
4.41 Spannungsrichtige Widerstandsmessung.
4.42 Widerstandsmessung mit bekannter Stromquelle.
4.43 Widerstandsmessung mit bekannter Spannungsquelle und Spannungsmesser.
4.44 Widerstandsmessung mit bekannter Spannungsquelle und Strommesser.
4.45 Widerstandsmessung durch Vergleich mit Referenz.
4.46 Widerstandsmessung durch Vergleich mit Referenz
4.47 Widerstandsmessung durch Stromvergleich
4.48 Vierdraht-Widerstandsmessung für kleine Widerstände
4.49 Vierdraht-Widerstandsmessung für kleine Widerstände
4.50 Vierdraht-Widerstandsmessung für sehr kleine Widerstände
4.51 Messung der Kapazität
4.52 Messung der Induktivität
4.53 Messung der Induktivität oder Kapazität
4.54 Wheatstone-Brücke
4.55 Unabgeglichene Wheatstone-Brücke
4.56 Unabgeglichene Wheatstone-Brücke
4.57 Unabgeglichene Wheatstone-Brücke
4.58 Unabgeglichene Wheatstone-Brücke
4.59 Impedanz des Strommessers im Nullpunktszweig der Wheatstone-Brücke
4.60 Empfindlichkeit der unabgeglichenen Wheatstone-Brücke
4.61 Empfindlichkeit der unabgeglichenen Wheatstone-Brücke
4.62 Empfindlichkeit der unabgeglichenen Wheatstone-Brücke
4.63 Empfindlichkeit der unabgeglichenen Wheatstone-Brücke
4.64 Empfindlichkeit der unabgeglichenen Wheatstone-Brücke
4.65 Wheatstone-Brücke für allgemeine Impedanzen
4.66 Digital-Analog-Wandlerschaltung
4.67 Monotone und nicht-monotone Wandlerkennlinie
4.68 Fehler von A/D- und D/A-Wandlern
4.69 Direkter Digital/Analog-Wandler.
4.70 Digital-Analog-Wandlerschaltung mit Analogschaltern
4.71 Digital-Analog-Wandlerschaltung mit Stromwechselschaltern.
4.72 Digital-Analog-Wandlerschaltung mit R-2R-Netzwerk.
4.73 Digital-Analog-Wandlerschaltung mit R-2R-Netzwerk und bipolarem Ausgang.
4.74 Digital-Analog-Wandlerschaltung mit Pulslängenmodulation.
4.75 1-Bit D/A-Wandler
4.76 Oversampling
4.77 4-fach Oversampling.
4.78 MASH (Multi-Stage Noise Shaping)-Wandlung
4.79 Direkter Analog-Digital-Wandler.
4.80 Analog-Digital-Wandler nach dem Nachlaufverfahren.
4.81 Analog-Digital-Wandler nach dem Wägeverfahren
4.82 Analog-Digital-Wandler nach dem Sägezahnverfahren
4.83 Analog-Digital-Wandler nach dem Dual-Slope-Verfahren
4.84 Spannungsverlauf beim Dual-Slope-Verfahren
4.85 Sigma-Delta-Wandler.
4.86 Prinzipbild eines Lock-In-Verstärkers.
4.87 Signalformen des Lock-In-Verstärkers
4.88 Messung von Zeit oder Periodendauer.
4.89 Prinzip der Schaltung für eine Zeitmessung
4.90 Prinzip der Schaltung für eine Periodendauermessung
4.91 Schaltung für eine Periodendauermessung
4.92 Messung der Frequenz
4.93 Schaltung für eine Frequenzmessung
4.94 Schaltung für eine Frequenzmessung. Der Unterschied zur Periodendauermessung liegt alleine in der Taktfrequenz des Referenzoszillators V1!
4.95 Messung der Frequenz mit dem Verhältniszählverfahren.
4.96 Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes
4.97 Feineinstellung der Quarzfrequenz
4.98 Quarzoszillator nach Colpitts
4.99 Quarzoszillator nach Hartley
4.100 Quarzoszillator mit Inverter-Gatter
4.101 Prinzipschaltbild eines Phasenregelkreises
4.102 Prinzipschaltbild eines Phasenregelkreises
4.103 Sample/Hold als Phasendetektor
4.104 Sample/Hold als Phasendetektor
4.105 Vorzeichenrichtiger Phasendetektor
4.106 Kennlinie des vorzeichenrichtigen Phasendetektor
4.107 Implementierung eines vorzeichenrichtigen Phasendetektor
4.108 Messung kurzer Zeiten mit definierten Rampen
4.109 Messung von Magnetfeldern mit Transformator
4.110 Messung von Magnetfeldern mit dem Halleffekt
4.111 Äquipotentialverlauf beim Halleffekt
4.112 Aufbau einer Feldplatte
4.113 Widerstand einer Feldplatte
4.114 Magnetoresistiver Effekt
4.115 Aufteilung der Felder und Ströme
4.116 Aufbau eines magnetoresistiven Sensors
4.117 Magnetoresistiver Sensor mit ’Barber Poles’
4.118 Kritischer Strom beim Josephson-Effekt
4.119 Aufbau eines SQUID
4.120 Dielektrische Funktion und Spektren
4.121 Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes
4.122 Zusammenfassung Bändermodell
4.123 Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration
4.124 Temperaturabhängigkeit der Spreading-Resistance
4.125 Kennlinie eines Heissleiters (NTC)
4.126 Kennlinie eines Kaltleiters (PTC)
4.127 Kennlinie eines integrierten Temperatursensors. Das Flächenverhältnis ist so eingestellt, dass die resultierende Spannung in mV ein Zehntel der Temperatur in K ist. Die Temperaturablesung mit einem digitalen Voltmeter wird dann sehr einfach.
4.128 Thermospannung
4.129 Entstehung des pyroelektrischen Effektes
4.130 Äusserer Photoeffekt: Bändermodelle für Metalle und Halbleiter.
4.131 Photozelle und Photovervielfacher
4.132 Innerer Photoeffekt für Halbleiter.
4.133 Bändermodelle für den inneren Fotoeffekt
4.134 Spektrale Empfindlichkeit von verschiedenen Materialien im Vergleich zu Quanteneffizienzen.
4.135 Kennlinie einer Photodiode
4.136 Photodiode und Photoelement
4.137 Phototransistor
4.138 Plattengeführte elektromagnetische Welle
4.139 Wellenleiter und Ersatzschaltbild
4.140 Wellenleiter: Koordinaten und Vierpoldarstellung
4.141 Einfluss des Abschlusswiderstandes.
4.142 Kurzgeschlossene Leitung
4.143 Stichleitung und Stützen für Lecherleitungen
4.144 Impedanzanpassung bei einer HF-Leitung
4.145 Offene Leitung
4.146 Impedanz-Transformation
4.147 Koordinatensystem für Zweidrahtleitung
4.148 Relative Lage von E- und B-Feldern
4.149 Integrationswege um Strom und Spannung zu erhalten.
4.150 Berechnung von Kapazitätsbelag und Induktivitätsbelag
4.151 Bauformen von Wellenleitern.
4.152 Feldlinienbild in rechteckförmigen Wellenleitern.
4.153 Rechteckförmigen Wellenleiter
4.154 Dämpfung elektromagnetischer Wellen in Luft.
4.155 Skintiefe elektromagnetischer Wellen.
4.156 Dämpfungseigenschaften von Wellenleitern.
4.157 Streifenleiter
4.158 Brechungsgesetz von Snellius.
4.159 Dämpfung im Lichtwellenleiter
4.160 Spektrale Dämpfungswerte von verschiedenen Glasfasertypen.
4.161 Glasfasertypen
4.162 Geometrie zur Berechnung von Stufenindexfasern.
4.163 Geometrie zur Berechnung von Gradientenindexfasern.
4.164 Gemessenes Brechzahlprofil einer Gradientenindexfaser.
4.165 Kopplungswirkungsgrad in Lichtwellenleiter
4.166 Dämpfung bei Verbindung von Glasfasern
4.167 Feldradiusbestimmung bei einer Einmoden-Glasfaser.
4.168 Felddurchmesser und Wellenlänge bei Einmoden-Glasfasern
4.169 Herstellung eines Bragg-Gitters mit Interferometrie.
4.170 Bragg-Gitter mit Prismen- und Lloyd-Interferometer
4.171 Herstellung eines Bragg-Gitters mit einer Phasenmaske.
4.172 Reflektionsspektrum eines Bragg-Gitters
4.173 Berechnetes Reflexionsspektrum eines Bragg-Gitters
4.174 Transmission durch starkes Bragg-Gitter
4.175 Bragg-Wellenlänge und mechanischen Spannung
4.176 Bragg-Wellenlänge und Temperatur
4.177 Temperaturabhaengigkeit der Reflektivitaet
4.178 Fabry-Perot-Resonator mit zwei Bragg-Gittern
4.179 Reflexionsspektrum für sieben Bragg-Gitter
4.180 Testfeld fuer eine Spannungsquelle
4.181 Beispiel fuer eine Testhuelle
4.182 Fehlerquellen bei der Spannungsmessung
4.183 Fehlerquellen bei der Strommessung
4.184 Fehlerquellen bei der Widerstandsmessung
4.185 Spannungsmessung: Einfluss des Kabelleckstromes
4.186 Messung kleiner Spannungen mit einer Guard-Konfiguration
4.187 Kompensation von ungewollten Thermospannungen
4.188 Gleichtaktstrom hervorgerufen durch die Ankopplung an die Netzspannung
4.189 Gleichtaktstrom hervorgerufen durch den falschen Anschluss der Messkabel
4.190 Durch Magnetfelder induzierte Spannungen
4.191 Erdschleifen hervorgerufen durch mehrfache Erdung
4.192 Verhinderung des Einflusses von Erdströmen
4.193 Elektrostatische Kopplung und elektrostatische Abschirmung
4.194 Ausgangswiderstandes und der kapazitiven Belastung einer Stromquelle
4.195 Triboelektrische Effekte durch die Verbiegung von Kabeln
4.196 Elektrochemische Effekte und Leckströme an Oberflächen
4.197 Guarding-Techniken
4.198 Störspektrum in Schaltungen
4.199 Aufbau eines Lasers sowie Darstellung der Inversion
4.200 Verstärkung und der Verluste in einem Resonator
4.201 Laserpumpprozesse
4.202 Beugung einer ebenen Welle an einer Blende
4.203 Erklärung der Fresnelzahl
4.204 Optik eines Resonators
4.205 Feldamplitude und Fouriertransformation
4.206 Modenverteilungen in Laserresonatoren
4.207 Radiale Amplitudenverteilung in konfokalen Resonatoren
4.208 Beispiele für Laserresonatoren
4.209 Beugungsverluste von TEMn,m-Moden
4.210 Stabilitätsdiagramm für optische Resonatoren
4.211 Beispiele von instabilen Resonatoren
4.212 Frequenzspektren von Resonatoren
4.213 Fabry-Perot-Resonanzen: oben ist ein Überblick gezeigt, unten die Vergrösserung um 1. Die Kurven sind auf einen Frequenzabstand von 1 normiert.
4.214 Normierte Linienbreite als Funktion von T = 1−R. Der Modenabstand im Fabry-Perot-Resonator ist 1.
4.215 Verstärkungsprofil eines Laserüberganges
4.216 Modenprofil des aktiven Resonators in Abhängigkeit der Verstärkung.
4.217 Verstärkungsprofil des aktiven Mediums
4.218 Zeitliche Beziehung zwischen Pumppuls, Laserpuls und Besetzungsinversion
4.219 Spikes bei Kurzpulslasern
4.220 Güteschaltung
4.221 Pockelszelle
4.222 Kurvenverlauf bei Güteschaltung
4.223 Ablenkung von Licht durch Schallwellen
4.224 Cavity Dumper
4.225 Laserpuls mit Cavity Dumper
4.226 Aktive Modenkopplung mit AOM
4.227 Modengekoppelte Laserpulse
4.228 Modengekoppelter Laser mit sättigbarem Absorber
4.229 Modengekoppelter Puls
4.230 Synchron gepumpter Kurzpulslaser
4.231 Schematischer Aufbau eines CPM-Lasersystems.
4.232 Pulsbreite und spektrale Breite des Lasermediums
4.233 Dispersionskompensation mit zwei Gittern.
4.234 Aufbau eines Cr:LiSAF-Lasers
4.235 Schematischer Verlauf der Reflektivität in einem sättigbaren Bragg-Spiegel
4.236 Aufbau zur Messung einer Absorption
4.237 Verbesserter Aufbau zur Messung einer Absorption mit Choppern
4.238 Aufbau zur Messung der Reflektivität
4.239 Aufbau zur Messung der Polarisation
4.240 Prismenspektrometer
4.241 Gitterspektrometer
4.242 Intensität des gebeugten Lichtes als Funktion der Anzahl beleuchteter Spalte. Links ist eine Übersicht, rechts die Detailansicht. Von unten nach oben sind N = 3,6 und 12 beleuchtete Spalte dargestellt. Die sonstigen Gitterparameter sind a = 1 und 𝜖 = 0.1
4.243 Aufbau eines Fabri-Perot-Spektrometer
4.244 Kennlinie eines Fabri-Perot-Inerferometers für Reflektivitäten von 0.6, 0.8, 0.9 und 0.95 beziehungsweise Werte von M von 15, 80, 360 und 1520 (von oben)
4.245 Optischer Korrelator
4.246 Untergrundfreier Korrelator
4.247 Zweiphotonenfluoreszenz zur Messung von kurzen Pulsen
4.248 Autokorrelationsprofile
4.249 Aufbau einer Streak-Kamera
4.250 Schalten eines Wellenleiters mit optischen Pulsen
4.251 Zeitkorreliertes Einzelphotonenzählen. Die vertikale Achse zeigt die einzelnen Messungen. Horizontal ist jeweils ein roter Balken eingezeichnet, wenn bei einer bestimmten Verzögerungszeit ein Photon gemessen wurde. Die grüne Kurve ist die Summenhäufigkeit.
4.252 Prinzip der Lumineszenzmessung
4.253 Messung einer Lumineszenzabklingkurve
4.254 Auswirkung des Oversamplings auf eine Messung.
4.255 Vergleich einer Frequenz- und einer Zeitbereichsmessung.
4.256 Blockschaltbild eines Spektralanalysators.
4.257 Blockschaltbild eines Netzwerkanalysators.
4.258 Prinzipieller Aufbau eines Spektrumanalysators.
4.259 Durchführung einer Reflexionsmessung mit einem Netzwerkanalysator.
4.260 Detektionsverfahren für Netzwerkanalysatoren
4.261 Amplitudendetektion.
4.262 Phasenmessung.
4.263 Amplituden- und Phasengang bei einer linearen Übertragung.
4.264 Abschlusswiderstand und reflektierte Signale
4.265 Frequenzgang des Abschlusswiderstandes
4.266 Polardiagramm und Smith-Diagramm
4.267 Polardiagramm und Smith-Diagramm
4.268 S-Parameter. Oben ist die Definition gezeigt, unten das dazugehörige Flussdiagramm
4.269 Geometrie der Abbildung in einem Feldionenmikroskop
4.270 Feldemissionsprozess
4.271 Prinzipieller Aufbau eines Felemissionsmikroskopes
4.272 Feldionisation an der Spitze eines Feldionenmikroskopes
4.273 Potentialverlauf bei der Feldionenmikroskopie
4.274 Vergleich eines feldionenmikroskopischen Bildes mit einem Kugelmodell. Links ist das Kugelmodell für eine Pt-Kristall gezeigt. Rechts ist das entsprechende feldionenmikroskopische Bild (By Tatsuo Iwata from Sapporo, JAPAN (platinum) [CC BY 2.0 (http://creativecommons.org/licenses/by/2.0)], via Wikimedia Commons. [Iwa17]).
4.275 Prinzipbild der Atom-Probe- Feldionenmikroskopie
4.276 Messung der Atommasse über die Laufzeit der felddesorbierten Atome.
4.277 Prinzip des Projektionselektronenmikroskops
4.278 Simuliertes Hologramm eines Faserkreuzes
4.279 Reales Gitter (links) und reziprokes Gitter (rechts).
4.280 Skizze zur Streuung an Oberflächenatomen
4.281 Ewald-Konstruktion für Oberflächennetze. Rechts wird ein Schnitt dargestellt.
4.282 Aufbau eines LEED. Links ist die Elektronenkanone gezeigt. Rechts ist der schematische Aufbau des LEED-Schirms gezeigt.
4.283 Energieverlauf im LEED-Detektor. Rechts ist der Zwischenraum zwischen der Probe und dem Detektor.
4.284 Eindringtiefe der Elektronen als Funktion der Energie
4.285 Ewaldkonstruktion für LEED
4.286 Beugungsmuster und Definitionen zur Transferweite
4.287 Schematische Skizze eines LEED-Bildes von Cu(110) (gezeichnet nach [ISY82]). Dies ist eine FCC-Struktur.
4.288 Schematische Skizze eines LEED-Bildes von Ni (111) bei einer Primärenergie von 205 eV (gezeichnet nach [ISY82]).
4.289 Mosaikstruktur links im realen Raum und rechts im reziproken Raum
4.290 Beispiel: Regelmässige Domänen einer Kristallstruktur mit der Periode a jeweils im Abstand von (N +1∕2)a
4.291 Mögliche Wege der Elektronen bei der Streuung an Oberflächen.
4.292 Geometrie bei der RHEED-Abbildung. Links ist dargestellt, wie die Trajektorien der Elektronen angeordnet sind. Rechts ist gezeigt, wie die Ewald-Konstruktion zum Auffinden der RHEED-Reflexe angewandt werden.
4.293 Konstruktion der Reflexe bei RHEED. Links werden die Strukturen der Oberflächen gezeigt. Rechts ist das entsprechende RHEED-Bild. Von oben nach unten wird die Abbildung bei idealer Oberfläche, bei schwach gestuften Oberflächen, bei einer Mosaikstruktur, stark gestufte Oberflächen sowie 3D-Inseln
4.294 RHEED-Kontrolle des Schichtwachstums zum Beispiel bei der Herstellung von Halbleiter-Quantenschichten.
A.1 Schematische Darstellung einer elektromagnetischen Welle.
E.1 Amplituden- und Phasengang kritisch gedämpfter Tiefpassfilter
E.2 Phasenbild und Gruppenlaufzeit von kritisch gedaempften Tiefpassfiltern
E.3 Amplituden- und Phasengang von Butterworth Tiefpassfiltern
E.4 Phasenbild und Gruppenlaufzeit von Butterworth Tiefpassfiltern
E.5 Amplituden- und Phasengang von Bessel-Tiefpassfiltern
E.6 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Bessel-Tiefpassfiltern
E.7 Amplituden- und Phasengang von 1dB-Tschebyscheff-Tiefpassfiltern
E.8 Phasenbild und Gruppenlaufzeit von 1dB-Tschebyscheff-Tiefpassfiltern
E.9 Amplituden- und Phasengang von 3dB-Tschebyscheff-Tiefpassfiltern
E.10 Phasenbild und Gruppenlaufzeit von 3dB-Tschebyscheff-Tiefpassfiltern
E.11 Amplituden- und Phasengang kritisch gedämpfter Hochpassfilter
E.12 Phasenbild und Gruppenlaufzeit von kritisch gedaempften Hochpassfiltern
E.13 Amplituden- und Phasengang von Butterworth Hochpassfiltern.
E.14 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Butterworth Hochpassfiltern.
E.15 Amplituden- und Phasengang von Bessel-Hochpassfiltern.
E.16 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Bessel-Hochpassfilter.
E.17 Amplituden- und Phasengang von 1dB-Tschebyscheff-Hochpassfiltern
E.18 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von 1dB-Tschebyscheff-Hochpassfiltern
E.19 Amplituden- und Phasengang von 3dB-Tschebyscheff-Hochpassfiltern
E.20 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von 3dB-Tschebyscheff-Hochpassfiltern mit 3dB Welligkeit.
E.21 Amplituden- und Phasengang von kritisch gedämpften Bandpassfiltern.
E.22 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von kritisch gedämpften Bandpassfiltern.
E.23 Amplituden- und Phasengang von Butterworth Bandpassfiltern.
E.24 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Butterworth Bandpassfiltern.
E.25 Amplituden- und Phasengang von Bessel-Bandpassfiltern.
E.26 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Bessel-Bandpassfiltern.
E.27 Amplituden- und Phasengang von 1dB-Tschebyscheff-Bandpassfiltern
E.28 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von 1dB-Tschebyscheff-Bandpassfiltern
E.29 Amplituden- und Phasengang von 3dB-Tschebyscheff-Bandpassfiltern
E.30 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von 3dB-Tschebyscheff-Bandpassfiltern
E.31 Amplituden- und Phasengang von kritisch gedämpften Bandsperrenfiltern
E.32 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von kritisch gedämpften Bandsperrenfiltern
E.33 Amplituden- und Phasengang von Butterworth Bandsperrenfiltern
E.34 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Butterworth Bandsperrenfiltern
E.35 Amplituden- und Phasengang von Bessel-Bandsperrenfiltern
E.36 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Bessel-Bandsperrenfiltern
E.37 Amplituden- und Phasengang von 1dB-Tschebyscheff-Bandsperrenfiltern
E.38 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von 1dB-Tschebyscheff-Bandsperrenfiltern
E.39 Amplituden- und Phasengang von 3dB-Tschebyscheff-Bandsperrenfiltern
E.40 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Tschebyscheff-Bandsperrenfiltern
E.41 Amplituden- und Phasengang von maximal flachen Allpassfiltern.
E.42 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten von Allpassfiltern
E.43 Amplituden- und Phasengang von Schwingkreisen
E.44 Phasenbild und Gruppenlaufzeiten eines Schwingkreises
G.1 Smith-Chart mit Gnuplot erstellt
G.2 Plot einer Datendatei Smith-Chart mit Gnuplot 4.2
G.3 Polar-Plot mit Gnuplot erstellt
G.4 Polar-Plot und Smith-Chart in einer mit Gnuplot erstellten Darstellung.
J.1 Skizze zur Bestimmung der Miller’schen Indizes
J.2 Basisatome einer Netzzelle eines Oberflächennetzes
J.3 Atomare Anordnung bei Überstrukturen
J.4 Struktur einer Si(111)(
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)R30∘-Rekonstruktion. J.5 Beispiel einer Rekonstruktion, deren Bezeichnung nicht eindeutig festgelegt werden kann.
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